書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：稀釋化學蝕刻劑清洗硅片的方法

編號：JFKJ-21-256

作者：炬豐科技

發(fā)明背景

? 本發(fā)明總體上涉及硅體的生產，具體地說，涉及從這種的表面可控蝕刻二氧化硅的方法。在優(yōu)選實施例中，本發(fā)明特別涉及。涉及一種清潔單晶硅體表面的方法。例如晶片微電子半導體器件通常在單晶硅晶片上制造，單晶硅晶片由通過眾所周知的直拉法商業(yè)生長的單晶錠生產。

發(fā)明概述

? 提供一種更簡單、更具成本效益的化學方法來強力清洗硅體 ,特別是一種清洗試劑不會引入金屬沉淀污染物的方法。

發(fā)明詳述

? 用于許多應用。氫氧化鍛水溶液是堿性羥基 蝕刻劑的示例，所有這些在本領域已知和使用 的條件下基本上分解成羥基離子。

? 本發(fā)明，在兆頻超聲波場的存在下，通過蝕刻. 劑化學蝕刻二氧化硅房。可以使用任何化學蝕刻劑，包 括酸性和腐蝕性蝕刻劑。包含羥基離子的堿性蝕刻劑， 例如氫氧化鐐、氫氧化四甲基鐐、氫氧化鉀或氫氧化鈉 ，通常是提供給蝕刻劑槽的功率約為216瓦。

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