書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅的濕化學(xué)蝕刻和清洗

編號(hào)：JFKJ-21-255

作者：炬豐科技

引言

? 與硅器件、電路和系統(tǒng)相關(guān)的研究和制造通常依賴于硅晶片的濕化學(xué)蝕刻。深度蝕刻和微加工、成型和清洗需要使用液體溶液溶解硅。此外，濕化學(xué)通常用于單晶硅材料中的缺陷描繪。本文綜述了工程師們使用的典型濕化學(xué)配方。已經(jīng)使用了盡可能多的來(lái)源來(lái)呈現(xiàn)蝕刻劑和工藝的簡(jiǎn)明列表。

晶圓清洗

? 一系列化學(xué)物質(zhì)通常用于清洗硅片。這種化學(xué)順序不會(huì)侵蝕硅材料，而是選擇性地去除殘留在晶片表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)污染物。以下是典型的RCA流程；在整個(gè)工業(yè)中，對(duì)順序和化學(xué)比率的排序使用了許多變化。

各向異性氫氧化鉀蝕刻

結(jié)論??????略