模擬電子技術(shù)(06)PN結(jié)齊納擊穿現(xiàn)象分析 齊納擊穿與雪崩擊穿的區(qū)別是什么？
雪崩擊穿——齊納擊穿
效果：
穩(wěn)壓<4V，α<0（溫度越高，穩(wěn)壓越低
穩(wěn)壓>7V，α>0（溫度越高，穩(wěn)壓越高
原理：
- 齊納擊穿
- PN結(jié)摻雜濃度高 ->
- 耗盡層電壓大，寬度小->
- 小反向電壓->
- 電子能量大->電子隧穿->電流
- 雪崩擊穿
- PN結(jié)摻雜濃度低?->
- 耗盡層電壓小，寬度大->
- 大反向電壓->
- 電子能量大->撞破共價(jià)鍵->電流
總結(jié)：
對(duì)PN結(jié)施加反向電壓，
摻雜濃度高的耗盡層窄->電子隧穿，穩(wěn)壓低。
摻雜濃度低的耗盡層寬->電子大力出奇跡，穩(wěn)壓高。
標(biāo)簽：
