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ASE40N50SH-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE40N50SH

型號：ASE40N50SH

品牌：ASEMI

封裝：TO-2247

最大漏源電流：40A

漏源擊穿電壓：500V

RDS（ON）Max：0.1Ω

引腳數量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復時間：5ns

芯片材質：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結溫：-55℃~150℃

ASE40N50SH場效應管

ASE40N50SH的電性參數：最大漏源電流40A；漏源擊穿電壓500V

特征：

低固有電容。

出色的開關特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=500V，Id=40A

RDS（開）:0.1m? （最大值）@VG=10V