三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。

新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。

據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。

三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，其新一代 3D NAND 閃存可提高 20% 的單晶生產(chǎn)率，從而進一步降低了成本（在良率相同的情況下），這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態(tài)硬盤。

該公司沒有透露新品架構(gòu)，但根據(jù)提供的圖像，我們可以假設(shè)這是一種雙平面 3D NAND 芯片。

三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 表示:“由于市場對更密集、更大容量存儲的需求推動了更高的 V-NAND 層數(shù)，三星采用了先進的 3D 壓縮技術(shù)，以減少表面積和高度，同時避免通常在壓縮時出現(xiàn)的單元間干擾?！薄拔覀兊?8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，這將是未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。”