華林科納預(yù)測到 2032 年，全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場預(yù)計(jì)價(jià)值8.318 億美元，高于2022 年的 2.413 億美元，在預(yù)測期內(nèi)以 13.2%的復(fù)合年增長率增長。隨著制造商在射頻應(yīng)用中大量使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，對寬帶隙半導(dǎo)體的需求正在上升。

寬帶隙半導(dǎo)體材料廣泛用于在高電壓、高溫和高頻率下運(yùn)行器件。這一因素正在增加對寬帶隙半導(dǎo)體的需求。

寬帶隙半導(dǎo)體是用于制造藍(lán)色和綠色激光器和 LED 的主要部件。還預(yù)計(jì)對寬帶隙半導(dǎo)體的需求，特別是在軍用雷達(dá)中。此外，寬帶隙半導(dǎo)體市場制造商正受益于平板電腦和智能手機(jī)使用量的增加。

因此，預(yù)計(jì)寬帶隙半導(dǎo)體市場在預(yù)測期內(nèi)可能會出現(xiàn)顯著的寬帶隙半導(dǎo)體市場增長。

寬帶隙半導(dǎo)體市場的需求驅(qū)動因素是什么？

預(yù)計(jì)寬帶隙半導(dǎo)體市場趨勢和預(yù)測是寬帶隙半導(dǎo)體市場機(jī)會的關(guān)鍵驅(qū)動因素。在線視頻流的增加使移動設(shè)備用戶的數(shù)量翻了一番。

這反過來又導(dǎo)致了數(shù)據(jù)的高使用率。因此，寬帶隙半導(dǎo)體市場的制造商正在將 SiC 和 GaN 基半導(dǎo)體用于高性能電信和無線系統(tǒng)。這提振了對寬帶隙半導(dǎo)體的需求，推動了寬帶隙半導(dǎo)體市場的增長和寬帶隙半導(dǎo)體市場的未來趨勢。

此外，為了管理數(shù)據(jù)使用中的高負(fù)載流量，寬帶隙半導(dǎo)體得到了實(shí)施，并且越來越多地被采用以支持操作帶寬。推動寬帶隙半導(dǎo)體市場規(guī)模擴(kuò)大的原因是它們有助于更高的電壓操作和易于阻抗匹配。

此外，LED 照明市場的良好增長預(yù)測正在為寬帶隙半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的制造商創(chuàng)造更多的寬帶隙半導(dǎo)體市場機(jī)會。寬帶隙半導(dǎo)體的采用可以節(jié)省能源并延長 LED 照明的使用壽命，這對所有消費(fèi)者來說都是一種有效的選擇，并推動了寬帶隙半導(dǎo)體市場的增長。

除此之外，寬帶隙半導(dǎo)體為實(shí)現(xiàn)電力電子領(lǐng)域的重大突破提供了另一種方法。電動汽車制造商正在采用寬帶隙半導(dǎo)體來制造不同的汽車部件，例如 HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器、驅(qū)動器 IC、車載充電器、電機(jī)驅(qū)動器和充電設(shè)備。預(yù)計(jì)這一因素將在預(yù)測期內(nèi)推動寬帶隙半導(dǎo)體采用趨勢。

寬帶隙半導(dǎo)體市場的驅(qū)動挑戰(zhàn)是什么？

除了驅(qū)動因素外，還有一些因素可能會在預(yù)測期內(nèi)抑制寬帶隙半導(dǎo)體市場的增長。

預(yù)計(jì)寬帶隙半導(dǎo)體的制造成本很高。由于制造寬帶隙半導(dǎo)體的材料的可用性、與生產(chǎn)寬帶隙半導(dǎo)體相關(guān)的成本以及其他初始高資本投資可能阻礙寬帶隙半導(dǎo)體的一些未解決問題，寬帶隙半導(dǎo)體的整體銷售額一直很低。半導(dǎo)體市場在未來幾年的增長。

區(qū)域分析

北美寬帶隙半導(dǎo)體市場表現(xiàn)如何？

預(yù)計(jì)在 2022-2032 年的預(yù)測期內(nèi)，北美可能會主導(dǎo)寬帶隙半導(dǎo)體市場。目前，北美地區(qū)累計(jì)占寬帶隙半導(dǎo)體總市場份額的36.3%。

由于該地區(qū)智能設(shè)備的使用和采用增加，預(yù)計(jì)北美將有利潤豐厚的寬帶隙半導(dǎo)體市場增長。他們正在提高大多數(shù)電子設(shè)備的硬件可靠性和能耗。

此外，北美汽車領(lǐng)域的快速崛起，進(jìn)一步刺激了對寬帶隙半導(dǎo)體的需求和寬帶隙半導(dǎo)體的采用，有助于擴(kuò)大寬帶隙半導(dǎo)體市場的增長以及寬帶隙半導(dǎo)體市場規(guī)模。

歐洲寬帶隙半導(dǎo)體市場的增長前景如何？

預(yù)計(jì)歐洲將跟隨北美在寬帶隙半導(dǎo)體市場擴(kuò)大寬帶隙半導(dǎo)體市場份額。目前，歐洲占整個(gè)寬帶隙半導(dǎo)體市場份額的 20.7% 。

該地區(qū)發(fā)展中的 IT 和電信行業(yè)以及該地區(qū)的消費(fèi)電子產(chǎn)品對節(jié)能半導(dǎo)體的需求不斷增加。歐洲地區(qū)也正在接受政府資助，這正在鼓勵(lì)投資者利用所提供的好處。該地區(qū)廉價(jià)勞動力的可用性正在影響寬帶隙半導(dǎo)體市場的增長。

寬帶隙半導(dǎo)體市場的主要發(fā)展

寬帶隙半導(dǎo)體市場的一些關(guān)鍵發(fā)展是：

?ROHM Semiconductor 是寬帶隙半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）的領(lǐng)先制造商。2010年開始量產(chǎn)SiC肖特基二極管、SiC平面MOSFET等功率元件。2019年2 月，該公司宣布計(jì)劃在先進(jìn)機(jī)器的幫助下升級其現(xiàn)有的 WBG 半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。

?2019年8 月，安森美半導(dǎo)體宣布在其產(chǎn)品線中引入寬帶隙硅碳 MOSFET。該公司預(yù)計(jì)，由于對用于汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車等應(yīng)用的 WBG 半導(dǎo)體的需求增加，該新產(chǎn)品將在未來幾年出現(xiàn)高需求。

創(chuàng)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)

新進(jìn)入者如何徹底改變寬帶隙半導(dǎo)體市場？

寬帶隙半導(dǎo)體市場的初創(chuàng)生態(tài)系統(tǒng)非常活躍，創(chuàng)新頻繁。寬帶隙半導(dǎo)體市場的初創(chuàng)企業(yè)正專注于改進(jìn)集成 SiC 和 GaN 的設(shè)備，以便為消費(fèi)者提供高功率組件。

GaN Systems 是一家獲得 C 輪融資的加拿大初創(chuàng)公司，為電動汽車電力電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用提供 GaN 半導(dǎo)體。它聲稱總功率損耗降低了 50%，系統(tǒng)成本降低了 20%，功率密度提高了 3 倍。

總部位于美國的 SLD Laser 是一家由寬帶隙半導(dǎo)體市場先驅(qū)創(chuàng)立的深科技公司，為 LiDAR、HUD 和其他汽車照明系統(tǒng)應(yīng)用提供基于 GaN 的半極性光源。

獲得 STMicroelectronics 重大投資的瑞典 Norstel AB 聲稱，在 SiC 上部署 HEMT 外延可以實(shí)現(xiàn)雷達(dá)系統(tǒng)在高頻下的目標(biāo)性能。

競爭格局

誰是寬帶隙半導(dǎo)體市場的主要市場參與者？

寬帶隙半導(dǎo)體市場的主要參與者是 Efficient Power Conversion Corporation、Mersen SA、Everlight Electronics Co、Avogy, Inc.、東芝公司、富士通有限公司、瑞薩電子公司、NXP Semiconductors NV 和 Cree Inc.。

與寬帶隙半導(dǎo)體市場相關(guān)的其他知名供應(yīng)商包括 Fairchild Semiconductor、GeneSiC Semiconductor, Inc.、Infineon Technologies AG、Infineon Technologies AG、MicroGaN Gmbh、United Silicon Carbide Inc.、Microsemi Corporation、Vishay Intertechnology, Inc. Mitsubishi Electric、Nitronix Nanotechnology Corporation、Powerex、ROHM Semiconductor、意法半導(dǎo)體、Sanken Electric Co., Ltd.、Semikron、Semisouth Laboratories, Inc. 和 Shindengen Electric。

這些主要參與者正在不斷地合作、升級和努力，通過對能源和功率器件的高頻法規(guī)來擴(kuò)大寬帶隙半導(dǎo)體市場，以促進(jìn)寬帶隙半導(dǎo)體的銷售。