實(shí)驗(yàn)材料：尺寸為10×10×4.5mm的氧化鎵

? ? ? 氧化鎵的別名是三氧化二鎵，Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。主要用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。

實(shí)驗(yàn)設(shè)備：U-NIPOL802自動(dòng)精密研磨拋光機(jī)、MTI-3040加熱平臺(tái)、GPC-50A精確磨拋控制儀

實(shí)驗(yàn)所用耗材：

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簩⑼该餮趸壏綁K研磨并拋光

實(shí)驗(yàn)過(guò)程：

? ? ? 試樣的固定：將至少三個(gè)氧化鎵試樣塊與GPC-50A的載樣塊一同放到MTI-3040加熱平臺(tái)上進(jìn)行預(yù)熱，當(dāng)二者表面溫度達(dá)到80℃（石蠟的熔化溫度）左右之后將石蠟涂在試樣和載樣塊之間。需要注意的是，三個(gè)試樣需在載樣塊表面對(duì)稱放置，以免因試樣偏置而使試樣磨偏。然后將載樣塊和試樣一同從加熱平臺(tái)上移下，放置到旁邊的平臺(tái)上進(jìn)行冷卻，待二者冷卻到室溫后試樣被牢牢固定在載樣塊表面。然后將固定有試樣的載樣塊安裝到GPC-50A精確磨拋控制儀上，安裝后將精確磨拋控制儀放到研磨盤上準(zhǔn)備對(duì)試樣進(jìn)行研磨。固定在載樣塊上的試樣如圖3（1）所示，放置到研磨盤上進(jìn)行研磨的試樣如圖3（2）所示：

? ? ? 在對(duì)試樣進(jìn)行研磨時(shí)，為了得到光亮細(xì)膩的表面，應(yīng)從小至大使用不同粒度的磨料逐漸進(jìn)行研磨。所使用的研磨盤為帶溝槽的鑄鐵研磨盤。首先使用顆粒度為W28的剛玉磨料對(duì)試樣研磨20min；然后使用顆粒度為W14的剛玉磨料對(duì)試樣研磨10min；最后使用顆粒度為W7的剛玉磨料對(duì)試樣研磨10min。在整個(gè)研磨過(guò)程中，所使用的配重為0.75kg的壓塊。每個(gè)粒度的磨料研磨后都要用清水將試樣和研磨盤完全沖洗干凈，以免上一道工序的磨料對(duì)接下來(lái)的研磨造成污染。研磨中的試樣如圖3（2）所示：

? ? ? 在最后一種粒度的研磨微粉研磨完試樣后將鑄鐵研磨盤更換成拋光盤并使用拋光液對(duì)試樣進(jìn)行拋光，拋光中的試樣如圖4所示，拋光所用的拋光液為50nm的二氧化硅拋光液，拋光所用時(shí)間為20min，拋光布為金絲絨拋光布。拋光過(guò)程中要保持拋光布表面處于濕潤(rùn)的狀態(tài)，拋光后的試樣用清水沖洗干凈。拋光后的試樣如圖5所示，可見，對(duì)試樣的一面拋光后試樣表面光亮無(wú)劃痕，試樣的通透度明顯增加，試樣未發(fā)生磨偏和邊緣倒棱的現(xiàn)象，說(shuō)明研磨后的試樣表面平行度好，表面精度高。整個(gè)研磨拋光的實(shí)驗(yàn)過(guò)程所用的時(shí)間較短，且可以一次同時(shí)制備多個(gè)試樣，節(jié)省了人力和制備試樣的時(shí)間。