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10N60-ASEMI高壓MOS管10N60

型號(hào)：10N60

品牌：ASEMI

封裝：TO-22AB

最大漏源電流：10A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：0.85Ω

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

溝道類(lèi)型：N溝道MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~150℃

備受歡迎的10N60 MOS管

??ASEMI品牌10N60是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了10N60的最大漏源電流10A，漏源擊穿電壓600V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

10N60,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

10N60具體參數(shù)為：最大漏源電流：10A，漏源擊穿電壓：600V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-220AB