書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

編號(hào)：JFKJ-21-235

作者：炬豐科技

文摘

? 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。需要更薄的模具來(lái)適應(yīng)更薄的包裝。使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物，并添加化學(xué)物質(zhì)來(lái)調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤(rùn)濕性。當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時(shí)，蝕刻速率將隨時(shí)間而降低。這種變化已經(jīng)建模。這些模型可以延長(zhǎng)時(shí)間，補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì)，或者兩者兼而有之。

硅蝕刻:?

? 硅的各向同性濕蝕刻最常用的化學(xué)方法是硝酸和氫氟酸的結(jié)合。它通常被稱為海航體系(HF:硝酸:乙酸)與醋酸添加作為濕工作臺(tái)應(yīng)用的緩沖。硝酸作為氧化劑將表面轉(zhuǎn)化為二氧化硅，然后HF腐蝕(溶解)氧化物。其反應(yīng)過(guò)程如下所示

實(shí)驗(yàn): ?

? 實(shí)驗(yàn)是在SSEC 3300系列單片自旋處理器系統(tǒng)上進(jìn)行的。所采用的化學(xué)方法是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合?；瘜W(xué)再循環(huán)采用SSEC的收集環(huán)技術(shù)。在蝕刻過(guò)程中有許多工藝參數(shù)可以改變，從以前的工作中選擇了一個(gè)優(yōu)化的工藝來(lái)進(jìn)行這項(xiàng)研究。

圖1:恒定蝕刻時(shí)間下的硅蝕刻深度。