書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：臭氧薄化硅晶片的方法

編號：JFKJ-21-233

作者：炬豐科技

摘要

? 一種以可控的成本效益和最小的化學消耗來細化硅片的方法。將晶圓放入工藝室，隨后將臭氧氣體和HF蒸氣送入工藝室，與晶圓的硅表面發(fā)生反應。臭氧和HF蒸氣可以按順序輸送，也可以在進入工藝室之前相互混合。

使硅變薄的方法：?

? 硅片薄化是半導體器件和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)制造中的重要一步。晶圓變薄是至關(guān)重要的，因為它有助于防止晶圓在制造和使用過程中產(chǎn)生熱量，也使晶圓更容易處理和更便宜的包裝。?

發(fā)明的簡要說明

? ?本發(fā)明涉及一種使用臭氧和HF細化硅片的方法。臭氧氧化晶圓表面的一層或多層硅，HF腐蝕掉氧化硅層，從而使晶圓變薄。

? 晶圓減薄過程是通過研磨和拋光操作(通常稱為“反研磨”)或使用含有強氧化劑(如硝酸(HNO3)和/或氫氟酸(HF))的溶液來完成的。這兩種工藝也經(jīng)常結(jié)合在一起，因為機械磨削操作會在硅表面產(chǎn)生大量的應力。這種應力可以通過化學蝕刻來減輕，化學蝕刻可以去除應力和損壞的層。這個過程的化學反應一般如下:??

? 除硅的形成機制是二氧化硅通過接觸氧化劑(硝酸),其次是與氟二氧化硅的反應形成四氟化硅(SiF4),可溶解在水載體或進化作為一種氣體。