環(huán)境試驗是以產(chǎn)品對預期工作環(huán)境的適應性為考核目標的試驗；

? 可靠性試驗是按可靠性要求設計和改進的、有可靠性目標并在典型環(huán)境條件下的試驗。產(chǎn)品可靠性在研制階段早期，主要是通過實驗來發(fā)現(xiàn)設計缺陷并加以改進，進而通過進一步的試驗來發(fā)現(xiàn)新的問題。經(jīng)驗表明，70%左右的設計缺陷要靠對樣機進行試驗才能發(fā)現(xiàn)。試驗不僅是產(chǎn)

品研制生產(chǎn)過程中完善設計的有力措施，也是評價產(chǎn)品各項特性是否符合要求的必不可少的手段。

? 可靠性測試實驗室在其生產(chǎn)制造、貯存運輸、部署使用的全壽命過程中都會經(jīng)受各種環(huán)境因素（包括自然環(huán)境和誘導環(huán)境）的作用，尤其是使用階段的環(huán)境條件通常都比較嚴酷，通過長期實踐，人們認識到環(huán)境與產(chǎn)品可靠性緊密關聯(lián)，并起著關鍵性的作用和影響，環(huán)境技術是產(chǎn)品可靠性試驗的基礎，適當和有效地利用環(huán)境技術有利于提高產(chǎn)品的可靠性。

? 封裝組裝完整性測試(Package Assembly lntegrity Tests)，是汽車電子可靠性驗證的一項重要測試，芯片可靠性驗證測試(環(huán)境應力、壽命模擬、封裝完整性、電氣驗證）項目來電咨詢。

芯片加速環(huán)境應力測試

濕度敏感等級試驗(MSL Test)

溫濕度試驗(Temperature/Humidity)

芯片加速壽命模擬測試

工作壽命試驗（OLT）

非揮發(fā)性內(nèi)存可靠性試驗（NVRAM)

芯片封裝完整性測試

封裝打線強度試驗(Wire Bond Test)

焊錫性試驗(Solder Ball)

封裝引腳完整性試驗(Lead Integrity)

封裝體完整性測試(Package Assembly)

芯片電氣驗證測試

靜電放電/過度電性應力/門鎖試驗(ESD/EOS/Latch-up)

低壓雷擊測試(Surge Test)

電磁兼容測試(EMC)

高溫/高電場誘發(fā)閘極漏電試驗(Gate Leakage)