采用射頻（RF）磁控濺射的方法，通過改變工藝參數在n型Si（100）片上制備六方氮化硼（h—BN）薄膜。通過傅立葉紅外（FTIR）光譜儀，x射線衍射（xRD）儀進行結構表征，原子力顯微鏡（AFM）進行表面形貌和壓電性能表征。

測試結果表明，在射頻功率為300W、襯底溫度為500℃、工作壓強在0．8Pa、N2與Ar流量比為4：20和襯底偏壓在-200V時制備的六方BN薄膜具有高純度、高c-軸擇優(yōu)取向，顆粒均勻致密，粗糙度為2．26nm，具有壓電性并且壓電響應均勻，符合高頻聲表面波器件基片高聲速、優(yōu)壓電性要求。

薄膜壓電性測試研究表明，AFM的PFM測試方法適用于納米結構半導體薄膜的壓電性及其壓電響應分布特性的表征。

其他產品：

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OPSS-PEG-COOH

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CDDP-Comarin 順鉑-香豆素

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QY小編zyl2023.4.26