書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：Micro-LED 顯示器量化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

編號(hào)：JFKJ-21-303

作者：炬豐科技

摘 要

? 為快速推動(dòng) Micro-LED 顯示器產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，結(jié)合 Micro-LED 微顯示器的性能特點(diǎn)、制造 工藝流程和產(chǎn)品應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)分析了基于硅、藍(lán)寶石襯底的 GaN 外延生長技術(shù)、芯片側(cè)壁原子 層沉積技術(shù)、芯片轉(zhuǎn)移和晶圓級(jí)鍵合等技術(shù)。

關(guān)鍵詞： 新型平板顯示；微縮化發(fā)光二極管；有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積；原子層淀積；晶圓鍵合

材料制造工藝與設(shè)備

? 顯示器產(chǎn)業(yè)技術(shù)正朝著高分辨率、高亮度、低功耗和柔性化快速發(fā)展，如圖 1 所示，新型平板顯 示技術(shù)主要包括液晶顯示 （LCD）、等離子顯示、有機(jī)發(fā)光二極管顯示（OLED）和微縮化發(fā)光二極管顯示（Micro-LED）等幾類。

Micro-LED 微顯示器制造工藝流程

? Micro-LED 微顯示器生產(chǎn)制造主要包括襯底外延生長、芯片制造、電路互聯(lián)鍵合、性能檢測(cè)等環(huán)節(jié)，各環(huán)節(jié)都有相應(yīng)的材料、工藝、設(shè)備等關(guān)鍵技術(shù)要求。Micro-LED 微顯示器基本工藝流程。

Micro-LED 芯片制造 略

Micro-LED 芯片巨量轉(zhuǎn)移 ?略

GaN 外延生長工藝技術(shù)

? Micro-LED 芯片尺寸是傳統(tǒng) LED 芯片的幾十分之一、甚至更小，無法再使用傳統(tǒng)的 LED 芯片 挑揀與分選技術(shù)。

芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)

? 芯片轉(zhuǎn)移主要是通過剝離 LED 襯底，以臨時(shí)襯底承載 LED 外延薄膜層，再利用感應(yīng)耦合等離子蝕刻，形成微米等級(jí)的 Micro-LED 外延薄膜結(jié)構(gòu)；或者先利用感應(yīng)耦合等離子蝕刻。