編輯-Z

ASEMI場效應(yīng)管12N65參數(shù)：

型號：12N65

漏源電壓（VDSS）：650V

連續(xù)漏極電流（ID）：12A

柵極閾值電壓（VGS(TH)）：±30V

功耗（PD）：140W

漏源漏電流（IDSS）：10uA

柵極閾值電壓（VGS(TH)）：4V

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：0.68Ω

輸出電容（COSS）：150pF

最大脈沖正向電流（ISM）：48A

漏源二極管正向電壓（VSD）：1.4V

反向恢復(fù)時間（trr）：380nS

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12N65規(guī)格尺寸：

封裝：TO-220AB

總長度：30.47mm

本體長度：9.4mm

引腳長度：14.27mm

寬度：10.28mm

高度：4.7mm

腳間距：2.54mm

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12N65特征：

低固有電容

出色的開關(guān)特性

擴展安全工作區(qū)

無與倫比的柵極電荷：Qg= 44nC (Typ.)

RDS(on)：0.68 ? (Max) @VG=10V

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