位錯反應：幾何條件（守恒）、能量條件（降低）

擴展位錯：把一個全位錯分解為兩個不全位錯、中間夾一個堆垛層錯的整個位錯組態(tài)

層錯能r越小，擴展位錯的寬度越大

表面：幾個原子層厚度的區(qū)域，其原則排列及化學成分不同于晶體內(nèi)部，稱為晶體的面缺陷。分為外表面和內(nèi)界面

外表面、內(nèi)界面、表面能（產(chǎn)生單位面積新表面做的功）

晶界：大角度晶界、小角度晶界（10°）

小角度晶界：對稱傾斜晶界（平行刃位錯）、不對稱傾斜晶界（垂直刃位錯）、扭轉晶界（互相交叉的螺位錯）

大角度晶界：過渡結構模型、小島結構模型、重合位置點陣模型

晶界能：形成單位界面時，系統(tǒng)自由能的變化