紫水晶母巖一般在洞內(nèi)的分布是隨機(jī)的，可能出現(xiàn)緊密排布的情況，導(dǎo)致單一的一種方案往往沒有足夠的空間去堆疊。從而，時(shí)鐘式的更為實(shí)用省力。不過出于械電精神，我還是為檢測式農(nóng)場設(shè)計(jì)了一些方案，我將在此介紹其基本原理。這些方案我不敢說是最好的，但至少思路上是合理的，并且經(jīng)過一定的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的改良。

檢測式紫水晶農(nóng)場是什么類型的電路？

紫水晶簇在母巖上的生長類似于各種農(nóng)業(yè)植物的生長。母巖接受到隨機(jī)刻時(shí)，有概率在周圍的空氣/水方塊處生成小型紫水晶芽，如果已附著有芽則芽可能長大。一共有小芽、中芽、大芽、簇四個階段，生成和成長會帶來方塊更新，可被偵測器等BUD檢測。

第四階段的紫水晶簇被活塞或活塞帶動的方塊推落時(shí)，會掉落2紫水晶碎片，其它階段的則無掉落物。

所以，紫水晶農(nóng)場就是這樣一個機(jī)械電路：每偵測到四次方塊更新，則啟動活塞推落紫水晶簇。一般來說我們都是通過記憶電路來存儲單次方塊更新的次數(shù)，當(dāng)記憶電路達(dá)到N次的狀態(tài)后，觸發(fā)負(fù)責(zé)推落的活塞。

不過要注意到，推落水晶簇的活塞也會帶來檢測位的方塊更新，一般有兩種方案解決：當(dāng)活塞準(zhǔn)備推落時(shí)，使用斷路器斷開偵測器與記憶電路的連接；或者把活塞進(jìn)行推落的這一次（或多次）更新也視為是活塞啟動的條件，也就是說等到記憶電路進(jìn)入了第5（或者更高次）狀態(tài)時(shí)才啟動推落活塞。

我們是懶得事事因地制宜的，一般是希望做好了元件往上堆。但不同母巖分布情況下，堆疊所需要考慮的空間變換是有所不同的。

母巖是從（近似）球殼形狀的洞穴壁上隨機(jī)生成的，所以這么考慮：在上層和下層，母巖會比較密集，而在中層則比較分散。

中層的平面布線方案

對于中層母巖，因?yàn)楦髂笌r水平距離較大（因?yàn)榍蛐慕峭ǔ］^大），我們主要采用厚度較薄的平面方案。比如：

這是一個4*7*1.5的方案，左邊5列構(gòu)成一個投擲器漏斗鎖存電路。偵測器偵測到更新后觸發(fā)投擲器，當(dāng)投擲器把庫存倒光時(shí)，其前方的比較器熄滅，右下偵測器被拉回從而激活推落活塞，鎖住漏斗的紅石塊也被拉回，漏斗內(nèi)物品開始復(fù)位。由于右側(cè)比較器前方的可充能方塊被拉回了，復(fù)位過程中就算比較器再度點(diǎn)亮，漏斗也并不會鎖上。物品復(fù)位結(jié)束后，漏斗前比較器熄滅，觸發(fā)左方偵測器，左下活塞瞬推，將可充能方塊復(fù)位，導(dǎo)致漏斗鎖定。

記憶電路未切斷過程中，推落活塞會瞬推一次。投擲器記憶電路很容易改變狀態(tài)數(shù)，漏斗內(nèi)多放1個物品就行，不需要費(fèi)勁調(diào)斷路時(shí)序。

這個方案是旋轉(zhuǎn)可堆疊的，也就是說，可以這樣：

但這個方案不可如下堆疊（姑且稱為翻轉(zhuǎn)堆疊）：

原因是某一半的紅石塊會鎖住另一半的漏斗。但原理我已經(jīng)說清楚了，讀者可以自行稍加改造。有很多種改法，這里展示一種，它改變了鎖定漏斗的方式：

把這種方案與原版混用，就可以翻轉(zhuǎn)堆疊了。

把推落活塞移至記憶電路下方，此方案就可以用于處理母巖上方的紫水晶芽：

至于母巖下方的紫水晶芽則一般無法處理，因?yàn)楸容^器必然導(dǎo)致電路高1.5格，影響下方電路布線，如果要錯開支撐方塊，又要帶來更大的平面尺寸。另一方面，下方紫水晶芽的檢測位和收集機(jī)會都較差。

基于投擲器鎖存的電路布線還有很多種方案，讀者可以自己多試試。關(guān)鍵就在于，要在縮小體積的同時(shí)，保證邊緣器件不易輸出/受到信號干擾。

頂層、底層母巖的縱向布線方案

頂層/底層的母巖可能會比較密集，但有很大的向上/向下延展空間，適合做縱向單片堆疊。

由于雙比較器沒法做成縱向單片的，縱向單片方案中我主要采用瞬推記憶電路，用兩個瞬推活塞記憶狀態(tài)，每個活塞前的方塊有兩個狀態(tài)，兩個串聯(lián)起來就是2*2=4個狀態(tài)，正好是水晶芽成長的階段數(shù)。

上圖方案中，偵測到成長后，下方活板門進(jìn)行1rt的脈沖開閉，被右邊的偵測器檢測到，傳遞一個1rt脈沖給底層活塞（由于偵測器無法響應(yīng)相差不長于1rt的脈沖，所以它也只是輸出一個脈沖而已）。兩個活塞-偵測器的組合構(gòu)成記憶電路，每收到四次信號，就令右上活板門進(jìn)行1rt的開閉，然后被中上偵測器轉(zhuǎn)為紅石信號，并由中繼器延長至2rt，使得中繼器左下的斷路活塞斷開偵測位與記憶電路的連接。同時(shí)，左上活板門與偵測器令推落活塞瞬推，其歸位時(shí)間與斷路器復(fù)位時(shí)間一致（偵測器不會響應(yīng)熄滅的那一刻的輸入信號，所以恰好不會引起反饋或脈沖增殖）。

這個方案可堆疊。要錯開一格后堆疊的話，需要把部分電路平移一格，比如這樣：

在此方案的基礎(chǔ)上進(jìn)行改造要注意到：這一方案的小體積依賴于上部中繼器的復(fù)用，它產(chǎn)生的脈沖既負(fù)責(zé)斷路，又在作為脈沖限制器的偵測器的作用下負(fù)責(zé)推落。這要求：1. 斷路脈沖不得大于2rt，否則會超出偵測器偵測周期，導(dǎo)致脈沖增殖；2. 脈沖限制器的延遲必須是上邊沿后1rt，否則斷路器在推落活塞工作完之前就會復(fù)位。

其余的方案也大同小異了，也都有比較靈活的布線改造空間來符合各種堆疊需求，我這里就只貼圖不講解了。

斷路器建議使用上推或者下推的方案（上推的存檔找不到了，所以沒貼圖），側(cè)吸需要的是長負(fù)脈沖和短正脈沖，布線相對復(fù)雜，不建議采用。

縱向單片電路的布線的要領(lǐng)是，避免使用側(cè)向信號傳遞元件（如4向紅石粉），避免從正上方激活活塞等器件（否則它也將半連接地激活旁邊的元件）。考慮到錯開一格再堆疊的需求，還要額外做一些改造。