與5納米相比，這些芯片可以實(shí)現(xiàn)45%的功耗降低，體積縮小16%，性能提高23%。

5納米芯片的時代似乎已經(jīng)結(jié)束了，三星今天宣布3納米芯片的初步生產(chǎn)已經(jīng)開始。

這種新的、更小、更高效的芯片依賴于三星的gate -全能(GAA)晶體管架構(gòu)和多橋-通道FET(MBCFET)技術(shù)。前幾代芯片依賴于橫向添加鰭片(FinFET)，但MBCFET轉(zhuǎn)換為可以垂直堆疊的納米片晶體管。

這樣做有很多優(yōu)勢，包括繼續(xù)使用FinFET的工具和制造方法的能力，由于垂直疊加，不需要額外的區(qū)域來提高速度，以及開關(guān)行為的改善，三星可以降低操作電壓。

三星表示，與5nm工藝相比，第一代3nm芯片可以降低高達(dá)45%的功耗，提高23%的性能，并減少16%的所需面積。三星電子的第二代3nm工藝將分別帶來50%、30%和35%的更大收益。

三星還沒有宣布3nm芯片的第一批客戶是誰，但一旦他們的產(chǎn)品可行，他們肯定會出現(xiàn)在該公司自己的移動設(shè)備上。目前，三星的主要競爭對手臺積電(TSMC)仍專注于生產(chǎn)5nm芯片，3nm芯片將在今年晚些時候推出，2nm芯片計劃在2025年推出。因此，三星似乎至少領(lǐng)先了幾個月。