C37000成分：

（Cu）59.0-62.0

（Pb）0.8-1.5

（Fe）0.15

（Zn）REM

TaC/Ta 復(fù)合涂層厚度約為 8.79 μm， 涂層組織致密， 與基體結(jié)合緊密。 復(fù)合涂層中 C 含量沿呈連續(xù)分布， 表面含量最高， 沿涂層深度逐漸降低， 即 TaC 與 Ta 之間為擴散連接。

可供形態(tài) ：板材、帶材、、棒材、管材

交貨狀態(tài) ：R、M、Y、Y2、C…

由于 MPCVD 滲 C 在高真空下進(jìn)行， 涂層中 O 含量極低。 滲 C 過程中， 反應(yīng)氣體 CH 4 及 H 2 在微波產(chǎn)生的強電場的作用下， 激發(fā)成活性 C 基團及 H 子， 活性 C 原子與 Ta 涂層表面的 Ta 原子迅速發(fā)生反應(yīng)， 生成TaC。 激發(fā)的 H 原子加速了 C 向涂層內(nèi)部的擴散， 促進(jìn) TaC 的生成。 不同的 CH 4 濃度對碳化鉭（Ta 2 C、 TaC） 的生成產(chǎn)生一定的影響。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) ：根據(jù)用戶使用要求，可按以下標(biāo)準(zhǔn)交貨：非標(biāo)、國家標(biāo)準(zhǔn)，冶金行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，美國ASTM、ASME標(biāo)準(zhǔn)，日本JIS，德國DIN，英國BS，歐洲EN，國際ISO標(biāo)準(zhǔn)以及非標(biāo)定制標(biāo)準(zhǔn)等，并提供材質(zhì)證明書。

加工能力 ：切割、精密裁剪、表面研磨、熱處理

在 C1s 圖中（如圖 4-7a），結(jié)合能為 281.9 eV 處為 Ta-C 結(jié)合鍵； 在 Ta4f能譜圖中（圖 4-7b） ， 結(jié)合能為 23.08 eV與 24.9 eV 處為 Ta-C 結(jié)合鍵 [93] ； 結(jié)合能 26.2 eV 與 28.14 eV 處為 Ta-O 結(jié)合鍵 [94] 。 Ta-C與 Ta-O 結(jié)合鍵的原子百分比分別為 75.13 at %與 24.87 at %， 結(jié)合其 XRD 及元素分析可知， 復(fù)合涂層表面為 TaC 涂層。

探傷標(biāo)準(zhǔn) ：可按照中國（JB4730，GB/T2970）、美國（A435、A577、A588）、日本（JISG0801、JISG0901）、德國（SEL072）、英國（BS5996）、法國（NFS04-305）等國內(nèi)外探傷標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)檢驗。