瑞禧生物小編這里給大家整理了CdSe/ZnTe Ⅱ型核殼量子點/核殼型功能/SiC碳化硅量子點的制備方法，下面一起來看！

SiC碳化硅量子點的制備方法：

采用化學偶聯(lián)法,通過調(diào)整腐蝕劑組分及其相對含量,一步法實現(xiàn)了碳化硅量子點(SiC-QDs)表面物化特性的有效調(diào)控.研究表明:經(jīng)硝酸(HNO3)和氫氟酸(HF)混合腐蝕劑腐蝕納米β-SiC粉末,通過超聲空化破碎分散及高速離心處理,可獲得SiC-QDs水相溶液,并一步法實現(xiàn)了表面修飾,在其表面形成了-COO,-OH等親有機物功能基團.采用濃硫酸(H2SO4)為偶聯(lián)劑,制備出表面具有巰基(-SH)的SiC-QDs水相溶液.腐蝕劑組分的相對含量對于SiC-QDs的光致發(fā)光強度與表面巰基的形成影響較大.在波長為340 nm的激發(fā)光激發(fā)下,SiC-QDs具有最大的發(fā)光強度,隨著腐蝕劑中H2SO4含量的增加,其光致發(fā)光強度呈現(xiàn)降低趨勢.

CdSe/ZnTe Ⅱ型核殼量子點的制備研究：
巰基丙酸(MPA)修飾的CdSe/ZnTe Ⅱ型核殼結(jié)構(gòu)量子點的制備及其表征水相制備ZnTe量子點一直是量子點合成的難點,很少有突破。選擇了以巰基丙酸(MPA)為穩(wěn)定劑,以CdSe量子點作核,ZnCl2和Te為殼前驅(qū)體原料料,首次創(chuàng)建了在水相中方便、快速合成CdSe/ZnTe Ⅱ型核殼結(jié)構(gòu)半導體量子點的新方法。實驗結(jié)果表明,包覆ZnTe殼層后,量子點的發(fā)光強度和穩(wěn)定性都有明顯提高,并且通過改變制備條件(如:反應溫度、回流時間、pH大小、殼厚度)能夠改變發(fā)射波長。通過光譜表征發(fā)現(xiàn),制備的CdSe/ZnTe Ⅱ型核殼結(jié)構(gòu)的量子點發(fā)射波長范圍較寬,其熒光發(fā)射光譜500—573nm范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),量子效率較高,其最大熒光量子產(chǎn)率可達到6.8%。利用X-射線衍射的方法表征了所制備的CdSe/ZnTe Ⅱ型核殼結(jié)構(gòu)量子點。結(jié)果表明制備的量子點的尺寸在3.2nm左右。

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