關(guān)于IGBT/三極管/MOS管的區(qū)別

重點(diǎn)內(nèi)容已經(jīng)總結(jié)好啦！??????

目錄??

三極管

IGBT

MOS管

一、三極管

1??三極管的基極通過電流就能控制燈泡點(diǎn)亮

2??純硅材料

3??較窄區(qū)域高濃度N型摻雜大量自由電子

4??中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜少數(shù)空穴

5??上邊較寬區(qū)域普通濃度N型摻雜正常數(shù)量電子

6??導(dǎo)通過程是每離開一個(gè)電子形成空穴就會(huì)擴(kuò)散涌入大量電子搶占空穴

7??最終匯總發(fā)射極等于基極+集電極

二、MOS管

1??MOS管是給柵極施加高低電平控制導(dǎo)通點(diǎn)亮

2??兩邊是高濃度N型摻雜底部P型摻雜除了正電空穴還會(huì)帶有少數(shù)負(fù)電的自由電子

3??電壓達(dá)到一定時(shí)中間形成的自由電子鋪滿形成溝道

4??導(dǎo)通的電阻值不小

5??優(yōu)點(diǎn)是柵極控制功耗很低但導(dǎo)通大電流功耗會(huì)很大

三、IGBT

1??給柵極施加高低電平控制電路通行

2??控制功耗很低同時(shí)導(dǎo)通大電流時(shí)功耗也很低