編輯-Z

1N5822在DO-41封裝里采用的1個(gè)芯片，其尺寸都是32MIL，是一款軸向低壓降肖特基二極管。1N5822的浪涌電流Ifsm為80A，漏電流(Ir)為2.0mA，其工作時(shí)耐溫度范圍為-65~125攝氏度。1N5822采用金屬硅芯片材質(zhì)，里面有1顆芯片組成。1N5822的電性參數(shù)是：正向電流(Io)為3A，反向耐壓為40V，正向電壓(VF)為0.52V，其中有2條引線。

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1N5822參數(shù)描述

型號：1N5822

封裝：DO-41

特性：軸向低壓降肖特基二極管

電性參數(shù)：3A 40V

芯片材質(zhì)：金屬硅芯片

正向電流(Io)：3A

芯片個(gè)數(shù)：1

正向電壓(VF)：0.52V

芯片尺寸：32MIL

浪涌電流Ifsm：80A

漏電流(Ir)：2.0mA

工作溫度：-65~+125℃

引線數(shù)量：2

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1N5822軸向封裝系列。它的本體長度為9.5mm，加引腳長度為60.3mm，寬度為5.6mm，高度為5.6mm，腳寬度為1.3mm。

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以上就是關(guān)于1N5822-ASEMI軸向低壓降肖特基二極管1N5822的詳細(xì)介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。