觀前提示：這是（2），（1）在同一文集，如有錯(cuò)，務(wù)必點(diǎn)出，萬一考到了呢（我太懶了，這個(gè)專欄的功能太辣雞了，經(jīng)常一編公式就崩掉一整段，盡量少碼字少寫公式了，實(shí)在受不了，也懶得搞得漂亮了，浪費(fèi)時(shí)間

1.3 半導(dǎo)體三極管

1.3.1 結(jié)構(gòu)及類型

????三個(gè)摻雜區(qū)域形成兩個(gè)PN結(jié)

????1.發(fā)射區(qū)e：摻雜濃度最高，發(fā)射載流子，和基區(qū)形成發(fā)射結(jié)

????2.集電區(qū)c：面積最大，雜質(zhì)濃度較低，收集基區(qū)的載流子，和基區(qū)形成集電結(jié)

????3.基區(qū)b：很薄且雜質(zhì)濃度低，起到控制作用

????4.如何判斷管子材料：Si管導(dǎo)通時(shí)的U_BE為0.5V~0.8V，Ge管導(dǎo)通時(shí)的U_BE為0.1V~0.3V

1.3.2 電流放大作用

????記憶的東西很多，都要記清楚，這里按知識(shí)點(diǎn)一一羅列出來

????1.晶體管的放大作用表現(xiàn)為小的基極電流可以控制大的集電極電流

????2.輸入回路（基極-發(fā)射極） 輸出回路（集電極-發(fā)射極）

????3.共射放大電路，使晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏且集電結(jié)反偏

????4.晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)

????????發(fā)射極加正向電壓，發(fā)射區(qū)的多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)到基區(qū)形成發(fā)射極電流?——擴(kuò)散到基區(qū)的發(fā)射區(qū)多子少部分和基區(qū)的多子復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流——集電結(jié)加反向電壓，基區(qū)的非平衡少子（發(fā)射區(qū)的多子擴(kuò)散到基區(qū)）漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流????

????????表現(xiàn)I_B對I_C的控制作用，可將I_C視作I_B控制的電流源（懶得公式編輯了，麻煩）

????5.電流分配關(guān)系：?詳細(xì)的看書罷

????（集電極電流與發(fā)射極電流近似相等，基極電流小于二者）

????（發(fā)射極電位與基極電位相近，集電極電位高于二者或低于二者，基極電位居中，若集電極電位最低則是PNP型，若集電極電位最高則是NPN型）

????6.共射電流放大系數(shù)

???????共基直流電流放大系數(shù)：?

? ?????共射交流電流放大系數(shù)：?? （數(shù)值大概是20~100）

1.3.3 共射特性

????????分為輸入特性和輸出特性

????????1.輸入特性：管壓降一定時(shí)，基極電流與發(fā)射結(jié)壓降的函數(shù)關(guān)系

????? ? =0時(shí)，相當(dāng)于兩個(gè)二極管并聯(lián)

????????增大時(shí)，曲線右移，≥1V時(shí)，曲線基本不右移（原因不懂的自己看書，前面碼字碼完結(jié)果直接崩了我不想碼了）

????????2.輸出特性：基極電流為常量時(shí)，集電極電流與管壓降之間的函數(shù)關(guān)系

????????三個(gè)工作區(qū)域：

????????截止區(qū)：發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓(U_BE>U_on)且集電結(jié)反偏（U_CE>U_BE）

????????放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏且集電結(jié)反偏（U_BE>U_on且U_CE≥U_BE）此時(shí)I_C=βI_B

????????飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)與集電結(jié)都是正偏（U_BE>U_on且U_CE<U_BE），此時(shí)I_C<βI_B

????????對于小功率管，可以認(rèn)為U_CE=U_BE即U_CB=0時(shí)，晶體管處于臨界飽和/臨界放大狀態(tài)

????

????????????3.溫度升高時(shí)，輸入特性曲線左移，輸出特性曲線上移

1.3.4 主要參數(shù)

????1.直流參數(shù)：

????????a.共射直流電流放大系數(shù)：

????????b.共基直流電流放大系數(shù)：

????? ? c.極間反向電流：

????????????是發(fā)射極斷開，集電極與基極之間的反向飽和電流

????????????是基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極的穿透電流

????????????選擇管子時(shí)，二者應(yīng)盡量小，時(shí)少子的運(yùn)動(dòng)造成的，溫度影響大，Si管比Ge管的極間反向電流小2~3個(gè)數(shù)量級，因此溫度穩(wěn)定性比Ge管好

????2.交流參數(shù)

????????a.共射交流電流放大系數(shù)：?

????????b.共基交流電流放大系數(shù)：

????????c.特征頻率：使共射電流放大系數(shù)β數(shù)值下降到1的信號頻率，是電容效應(yīng)引起的，使其失去放大能力

????3.極限參數(shù)

????????a.最大集電極耗散功率：決定晶體管的溫升，一般來說Si管＞150度，Ge管＞70度時(shí)管子明顯受損甚至燒壞

????????b.最大集電極電流：當(dāng)其數(shù)值大到一定程度時(shí)，β會(huì)減小，使β明顯減小的電流就是最大集電極電流

????????c.極間反向擊穿電壓：

????????：發(fā)射極開路時(shí)，集電極-基極間的反向擊穿電壓，是集電結(jié)所允許加的最高反向電壓

????????：基極開路時(shí)，集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓，此時(shí)集電結(jié)承受反向電壓

????????：集電極開路時(shí)，發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓，這是發(fā)射結(jié)所允許加的最高反向電壓

第一章之后的內(nèi)容老師沒講，直接講第二章了，所以我就不在此寫了，之后如果又講，再看