書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：納米柱 ＧａＮ－ＬＥＤ的制備

編號(hào)：JFKJ-21-314

作者：炬豐科技

摘 要

? Ⅲ－Ⅴ族氮化物發(fā)光二極管因具有壽命長(zhǎng)、尺寸小、高效、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，得到廣泛的研究與應(yīng)用。隨著光通信、萬物互聯(lián)等領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，需要開發(fā)高質(zhì)量的微納光源和微納光波導(dǎo)。納米柱氮化鎵發(fā)光二級(jí)管（ＧａＮ－ＬＥＤ）是一種重要的微納光源，具有廣闊的應(yīng)用前景。另 一 方 面，作為應(yīng)用最廣的硅半導(dǎo)體材料本身并不是直接半導(dǎo)體，發(fā)光效率低下而不能作為光源使用。

關(guān)鍵詞 氮化鎵；分子束外延；納米柱；發(fā)光二級(jí)管；微納加工；光譜分析

引言

? 氮化鎵（ＧａＮ）作為Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料中的重要成員，具 有 熱 導(dǎo) 率 高、耐 高 溫、耐 酸 堿、高硬度等優(yōu)良的光學(xué)和電學(xué)性能。通過改變不同含量的Ｉｎ，Ｇａ和 Ａｌ的氮 化 物 具有從０．６３～６．２ｅＶ 的連續(xù)禁帶寬度，可以用來制備紫外、可見光以及光通信用發(fā)光器件。

實(shí)驗(yàn)部分

??實(shí)驗(yàn) 所 用 ＧａＮ 納米柱利用射頻分子 束外延設(shè)備 （ＲＦ－ ＭＢＥ，Ｒｉｂｅｒ３２）沉積而成。在生長(zhǎng)之前，首先利用 ＲＣＡ 標(biāo)準(zhǔn) 工藝對(duì)Ｓｉ基板進(jìn)行清洗。Ｓｉ基底表面上附著有機(jī)物，需要對(duì) Ｓｉ襯底進(jìn)行 清 洗。

結(jié)果與討論

??圖２是掃描電 子 顯 微 鏡（ＳＥＭ）下 ＧａＮ 基 納 米 柱 的 表 面 和側(cè)面的照片。