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ASEMI的MOS管25N120在不同應(yīng)用場景的表現(xiàn)

2022-06-11 15:07 作者:強元芯  | 我要投稿

編輯-Z

根據(jù)其應(yīng)用方式,MOS管25N120的主要作用是:

1、做放大管;

2、做高速管;

3、做電流鏡管;

4、做開關(guān)。

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25N120參數(shù)描述

型號:25N120

封裝:TO-247

集電極-發(fā)射極電壓(VCES):1200V

集電極電流(IC):25A

柵極-發(fā)射極電壓(VGES):±20V

功耗(PD):310W

G-E漏電流(IGES):±100nA

G-E閾值電壓(VGE(th)):7.5V

輸出電容(COSS):180pF

脈沖集電極電流(ICM):75A

開啟延遲時間(td(on)):60nS

關(guān)斷延遲時間(td(off)):170nS

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MOS管需要設(shè)置的大小和電壓主要有以下兩種:

1、柵長L;

2、過驅(qū)動電壓Vgs-Vth

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MOS管25N120用作放大管時,比如運放的輸入管,目標是達到更高的增益,所以用作放大管的MOS管的L要大一些,Vgs-Vth要小一些。

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當MOS管25N120用作高速管時,如低噪聲放大器、壓控振蕩器、混頻器等射頻電路,其目標是追求高速,其結(jié)論與放大管截然相反。為提高電路速度,MOS管應(yīng)取最小的工藝L和較大的Vgs-Vth。因為L越大,MOS管的寄生電容就越大,會影響管子的高速性能。

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MOS管25N120用作電流鏡管時,其目標是實現(xiàn)電流的精確復(fù)制。因為電流復(fù)制是靜態(tài)信號,不需要速度,所以MOS管的L要大一些,因為MOS管的L越大,MOS管的厄利效應(yīng)越小,電流復(fù)制就會越準確。同時需要注意當前電流鏡對的Vds是否相等,一個工作在飽和區(qū)的MOS管,Vds相同,L較大,可以很好的實現(xiàn)電流復(fù)制。

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MOS管25N120用作開關(guān)管時,漏源電壓Vds應(yīng)很小,MOST工作在線性區(qū)。在這個區(qū)域,MOST晶體管實際上是一個小電阻,提供線性伏安特性。


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