編輯-Z

ASEMI低壓MOS管20N06參數(shù)：

型號：20N06

漏極-源極電壓（VDS）：60V

柵源電壓（VGS）：20V

漏極電流（ID）：20A

功耗（PD）：45W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 175℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：35mΩ

二極管正向電壓（VSD）：1.2V

輸入電容（Ciss）：590pF

二極管反向恢復(fù)時間（trr）：29.5nS

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20N06封裝體積：

封裝：TO-252-2L

總長度：10.35mm

本體長度：6.25mm

寬度：6.75mm

高度：2.4mm

腳間距：2.34mm

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20N06特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=50nC（典型值）。

BVDSS=60V，ID=20A

RDS（開）:0.02? （最大值）@VG=10V

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