考研筆記資料，一般用于在閱讀參考書(shū)以及做題目時(shí)候?qū)χ仉y點(diǎn)及常考點(diǎn)和易考點(diǎn)進(jìn)行記錄，便于后期隨時(shí)拿來(lái)使用記憶。盛世清北十年來(lái)專注清北碩博輔導(dǎo)，為幫助考生少走彎路，整理如下北大電磁場(chǎng)與微波技術(shù)考研筆記資料，以供參考。

真題試題

以下為北京大學(xué)842普通物理考研歷年真題回顧：

一、（12分）

1、 （6分）在牛頓力學(xué)范疇內(nèi)，試證質(zhì)點(diǎn)內(nèi)力在任何一個(gè)參照系中相對(duì)任何一個(gè)參考點(diǎn)的力矩之和為零。

2、 （6分）定性畫(huà)出單元系（只含一種分子）理想氣體的麥克斯韋速率分布曲線，并說(shuō)明當(dāng)溫度升高時(shí)曲線形狀變化的主要特征。

二、（16分）

固定的水平桌面上開(kāi)一小孔，長(zhǎng)L、質(zhì)量M的勻質(zhì)細(xì)桿豎直穿過(guò)小孔，一半在孔的上方，另一半在孔的下方，細(xì)桿下端有一質(zhì)量為m的小蟲(chóng)，如圖1所示。設(shè)開(kāi)始時(shí)細(xì)桿、小蟲(chóng)均處于靜止?fàn)顟B(tài)，在系統(tǒng)自由釋放后極短時(shí)間內(nèi)小蟲(chóng)達(dá)到相對(duì)細(xì)桿的向上爬行速度v，而且以后將保持這一相對(duì)速度值，忽略空氣阻力，假設(shè)桌面離地足夠高，而且細(xì)桿始終不會(huì)傾斜。

1. 試證小蟲(chóng)能爬到小孔高度的條件是M>m.

1. 在M>m的條件下，v取什么值，小蟲(chóng)能爬到小孔高度？

1. 設(shè)v取上問(wèn)中所得的最小值，確定小蟲(chóng)到達(dá)小孔高度時(shí)它相對(duì)桌面的速度vm的大小和方向。

三、 （14分）

如圖2所示，半徑R、質(zhì)量m的勻質(zhì)圓柱體從靜止開(kāi)始沿傾角為的固定斜面向下運(yùn)動(dòng)，圓柱體側(cè)面與斜面之間的

摩擦系數(shù)（既為最大靜摩擦系數(shù)，也為滑動(dòng)摩擦系數(shù)）處處相同。

1. 取何值，能使圓柱體沿斜面作純滾動(dòng)？

1. 假設(shè)小于上問(wèn)中可取的最小值，試求圓柱體向下運(yùn)動(dòng)過(guò)程中繞其中央軸的轉(zhuǎn)動(dòng)角加速度

以及質(zhì)心沿斜面運(yùn)動(dòng)加速度ac。

四、 （14分）

一定質(zhì)量的單原子理想氣體所經(jīng)歷的正循環(huán)過(guò)程ABCA如圖3所示，其中AB段為等溫過(guò)程，BC段為等壓過(guò)程，CA段為絕熱過(guò)程。已知圖中兩個(gè)體積參量之間的關(guān)系為V2 : V1 = 32 : 1，試求循環(huán)效率

五、 （14分）

半徑為R1的導(dǎo)體球與內(nèi)半徑為R2、外半徑為R3的導(dǎo)體球殼同心放置，兩者之間充滿相對(duì)介電常數(shù)為的固態(tài)均勻介質(zhì)，構(gòu)成一個(gè)球形介質(zhì)電容器。

1. 試求該電容器的電容C。

1. 設(shè)導(dǎo)體球帶電量為 -Q（Q > 0），確定介質(zhì)內(nèi)電極化強(qiáng)度P的分布。

1. 接2問(wèn)，計(jì)算介質(zhì)內(nèi)表面和外表面的極化電荷面密度和以及介質(zhì)內(nèi)極化電荷體密度。

六、 （16分）

如圖4所示，初速近似為零的電子經(jīng)U = 1000V電勢(shì)差加速后，從電子槍T發(fā)射出來(lái)，出射速度沿X軸方向。若要求電子能擊中在=60°方向，距槍口d = 125px處的靶M，就以下兩種情形

求出所用的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小

1. B垂直于由X軸與點(diǎn)M所確定的平面；

1. B平行于槍口向M所引的直線。

（電子質(zhì)量，電子電量絕對(duì)值）

七、 （14分）

某光柵在125px的寬度內(nèi)共有25000條刻線，今以鈉黃光（包含波長(zhǎng)分別為5890? 和5896? 的兩種單色光）垂直入射。

1. 確定正一級(jí)光譜中兩條譜線衍射角的平均值、兩條譜線的平均半角寬及兩條譜線之間的角間距，并判定這兩條譜線能否被分辨。

1. 若用平行于光柵放置的焦距為2m的會(huì)聚透鏡將一級(jí)光譜成象于透鏡焦平面的屏幕上，計(jì)算屏幕上這兩條譜線之間的線距離。

參考書(shū)

普通物理（力學(xué)、光學(xué)、電磁學(xué)）：

《普通物理簡(jiǎn)明教程力學(xué)》，周樂(lè)柱、 張耿民，北京大學(xué)出版社，2011年

《電磁學(xué)》，王楚，北京大學(xué)出版社，2004-02

《光學(xué)（上、下）》，趙凱華、鐘錫華，北京大學(xué)出版社，2008-12

考情分析

經(jīng)近幾年的歷年真題分析，盛世清北老師得出如下結(jié)論：

1、電子學(xué)院電磁場(chǎng)與微波技術(shù)專業(yè)課歷年考試難度大，考題較為靈活，與社會(huì)熱點(diǎn)關(guān)聯(lián)更深。同時(shí)，也關(guān)注考生的知識(shí)面。

2、報(bào)考北大也需要有扎實(shí)的基礎(chǔ)，并非通過(guò)所謂的押題和劃重點(diǎn)就能考上的。

考點(diǎn)梳理（僅供參考，可能會(huì)隨年份變化，可咨詢盛世清北老師）

北京大學(xué)835普通物理暫未提供考試大綱，但盛世清北的課程中總結(jié)了復(fù)習(xí)的大體方向，考試重難點(diǎn)知識(shí)梳理內(nèi)容如下：

　　第一部分電磁學(xué)部分

　　第一章真空中的靜電場(chǎng)

　　庫(kù)侖定律、電場(chǎng)與電場(chǎng)強(qiáng)度、電場(chǎng)強(qiáng)度疊加原理、帶電體在電場(chǎng)中受力及運(yùn)動(dòng)、高斯定理的應(yīng)用、電位差與電位、電勢(shì)的計(jì)算、電位的梯度、點(diǎn)電荷間的相互作用能。

　　第二章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì)

　　導(dǎo)體的靜電平衡條件、電荷的分布、導(dǎo)體殼的性質(zhì)、電容器電容的定義與計(jì)算、電介質(zhì)的極化、電極化強(qiáng)度矢量、有介質(zhì)時(shí)的高斯定理、電位移矢量、靜電場(chǎng)的能量與能量密度

　　第三章穩(wěn)恒電流的磁場(chǎng)

　　磁的基本現(xiàn)象與規(guī)律、畢奧薩法爾定律及其應(yīng)用、安培環(huán)路定理及其應(yīng)用、安培定律及其應(yīng)用、帶電粒子在電磁場(chǎng)中受力及其運(yùn)動(dòng)、霍爾效應(yīng)。

　　第四章電磁感應(yīng)

　　電磁感應(yīng)現(xiàn)象及電磁感應(yīng)定律、楞次定律、動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)和感生電動(dòng)勢(shì)、電子感應(yīng)加速器的原理、自感和互感的定義、磁場(chǎng)中的能量。

　　第五章磁介質(zhì)

　　分子電流觀點(diǎn)、磁介質(zhì)的磁化、順磁介質(zhì)和抗磁介質(zhì)的磁化規(guī)律、磁化強(qiáng)度矢量、磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量、有磁介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理。鐵磁介質(zhì)的性質(zhì)與磁化曲線、磁場(chǎng)的能量與能量密度

　　第六章電磁場(chǎng)理論和電磁波

　　位移電流、麥克斯韋方程組、電磁波的產(chǎn)生與傳播

　　第二部分光學(xué)部分

　　第一章光的干涉

　　相干光的獲得、楊氏雙縫干涉、光強(qiáng)度、相位差和光程差、薄膜干涉中的等厚干涉和等傾干涉、劈形膜的干涉、牛頓環(huán)的干涉、麥克爾孫干涉儀的原理。

　　第二章光的衍射

　　光的衍射現(xiàn)象、惠更斯菲涅爾原理、夫瑯禾費(fèi)衍射和菲涅爾衍射、單縫的夫瑯禾費(fèi)衍射、圓孔的瑯禾費(fèi)衍射、光柵衍射、各種衍射的機(jī)理、光學(xué)儀器的分辨本領(lǐng)

　　第三章光的偏振

　　自然光部分偏振光線偏振光的特點(diǎn)、偏振片的起偏和檢偏、馬呂斯公式、反射和折射時(shí)的偏振、雙折射現(xiàn)象、光在各向異性晶體中的傳播、各冋異性晶體中的波面、橢圓偏振光和圓偏振光的產(chǎn)生、全波片、二分之一波片、四分之一波片、五種光的特點(diǎn)與檢驗(yàn)、偏振光的干涉

歷年分?jǐn)?shù)線

解讀：

根據(jù)近3年分?jǐn)?shù)線及復(fù)試情況，盛世清北老師分析如下：

（1）近三年來(lái)，各科目分?jǐn)?shù)線及總分?jǐn)?shù)線趨于平穩(wěn)狀態(tài)，錄取分?jǐn)?shù)線22年有所下降，意味著當(dāng)年考題較難，應(yīng)更加重視專業(yè)課的復(fù)習(xí)，要早復(fù)習(xí)，避免走彎路。

（2）三年中，擬錄取最低分是351分，最高分是355，也就是說(shuō)我們努力考分在551-355之間是很有機(jī)會(huì)進(jìn)入復(fù)試的。

（3）錄取人數(shù)2021年是1人，2022年1人，說(shuō)明招生人數(shù)少，競(jìng)爭(zhēng)壓力大，但招生人數(shù)穩(wěn)定，要把握住這個(gè)機(jī)會(huì)。

（4）信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院的復(fù)試錄取比例較大，近3年來(lái)看，要非常重視復(fù)試。

不去耕耘，不去播種，再肥的沃土也長(zhǎng)不出莊稼，不去奮斗，不去創(chuàng)造，再美的青春也結(jié)不出碩果。祝大家都能不斷超越自己，考入心儀的院校?？佳屑佑停?/p>

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