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FCH041N65F用的TO-247封裝，是安森美一款汽車級MOS管。FCH041N65F的漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)為36mΩ，零柵極電壓漏極電流（IDSS）為10uA，柵源漏電流（IGSS）為100nA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。FCH041N65F的輸入電容（Ciss）為9790pF，輸出電容（Coss）為355pF。FCH041N65F的電性參數(shù)是：連續(xù)漏極電流（ID）為76A，漏源擊穿電壓為650V，二極管正向電壓（VSD）為1.2V，反向恢復(fù)時間（trr）為213ns，其中有3條引線。

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FCH041N65F參數(shù)描述

型號：FCH041N65F

連續(xù)漏極電流（ID）：76A

功耗（Ptot）：595W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：5V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：10uA

柵源漏電流（IGSS）：±100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：36mΩ

輸入電容（Ciss）：9790pF

輸出電容（Coss）：355pF

二極管正向電壓（VSD）：1.2V

反向恢復(fù)時間（trr）：213ns

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FCH041N65F插件封裝系列。它的本體長度是20.82mm，加引腳長度為41.07mm，寬度為15.87mm，高度為4.82mm，腳間距為5.56mm。

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強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。