書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：半導(dǎo)體電化學(xué)方法

編號(hào)：JFSJ-21-082

作者：炬豐科技

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摘要：

?Mott-Schottky (M-S) 分析單晶 ZnO/電解質(zhì)界面阻抗數(shù)據(jù)對(duì)于半導(dǎo)體/電解質(zhì) (SC/El) 結(jié)的特征能級(jí)位置的有效性。這項(xiàng)工作將在以下幾頁(yè)中進(jìn)一步討論，因?yàn)樗鼘?duì)用于表征半導(dǎo)體鈍化膜/電解質(zhì)界面的 M-S 分析的傳播產(chǎn)生了巨大影響。

顯示了標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下不同鹵化物氧化還原對(duì)在 pH~0 時(shí)氧化鎢的特征能級(jí)以及溶液中的費(fèi)米能級(jí)。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲?。篽lknch/xzl1019。

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根據(jù) Gerisher 的半導(dǎo)體/電解質(zhì)結(jié)處的電子轉(zhuǎn)移模型，在陽(yáng)極極化下，預(yù)計(jì)不會(huì)從鹵離子（溶液中占據(jù)電子狀態(tài)）到 n 型無定形 WO3 的明顯直接電子注入。這是由于溶液中的全電子態(tài)與氧化物導(dǎo)帶中的空擴(kuò)展態(tài)之間的重疊可以忽略不計(jì)。這種解釋通過對(duì)無源器件的電擊穿電位沒有任何影響而得到證實(shí)。

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