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hbm電子元件Z6FC3/20Kg

2023-05-30 14:41 作者:廣州洋奕電子科技  | 我要投稿

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當(dāng)對(duì)一塊半導(dǎo)體在某一晶向上施加應(yīng)力時(shí),其電阻率會(huì)產(chǎn)生一定的變化。這種導(dǎo)體電阻率變化和應(yīng)力之間的相互關(guān)系稱為半導(dǎo)體壓阻效應(yīng),利用此效應(yīng)制成的力學(xué)量傳感器稱為壓阻式力敏傳感器,它有兩種類型,一類是將半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)粘貼在彈性元件上制成的傳感器,稱為粘貼型壓阻式傳感器,另一類是在半導(dǎo)體材料的基片上用集成電路工藝制成的擴(kuò)散電阻,使應(yīng)變計(jì)與硅襯底形成同一整體的傳感器,稱為擴(kuò)散型壓阻式傳感 器。

??粘貼型壓阻式力敏傳感器由四只半導(dǎo)體應(yīng)變片接成全橋形式,用粘合劑貼在彈性元件上構(gòu)成,它具有很高的應(yīng)變靈敏系數(shù),一般為20~200,因此輸出高,輸出靈敏度一般為15~0mV/V,但易發(fā)生零點(diǎn)漂移與蠕變,同時(shí)還存在半導(dǎo)體應(yīng)變片和彈性元件熱膨脹所帶來(lái)的溫度漂移等影響。擴(kuò)散型壓阻式力敏傳感器大都采用單晶硅和半導(dǎo)體平面工藝制成的。一般以N 型硅為襯底,采用氧化、擴(kuò)散等工藝將硼原子沿給定的晶向擴(kuò)散到n 型硅襯底材料中,形成P 型擴(kuò)散層。?


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