當(dāng)Vds電壓升高時，MOSFET寄生電容總體呈下降的。當(dāng)Vds電壓越低的時候，MOSFET寄生電容越來越大，尤其是Coss電容。那么，隨著電壓的升高，Coss下降的是最快的，相對來說，Ciss稍微穩(wěn)定一些。這也就是為什么過了平臺區(qū)之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達(dá)的含義有關(guān)系的。

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上面這幅圖相對來說比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖。之前說的參數(shù)其實是靜態(tài)的，那么這副圖的參數(shù)是動態(tài)的。

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在這條線的左下方都是安全工作區(qū)域。橫坐標(biāo)是V，縱坐標(biāo)是I。假設(shè)V是100V，對應(yīng)的I電流大概是1.7A左右，在實際測試中，就按照這個表中的數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，觀察是否在MOSFET的安全工作區(qū)域內(nèi)。

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當(dāng)V電壓在100V時，如果測到的I電流在2.1A~6A這個區(qū)間，那么MOSFET只能承受10ms，越往上時間越短。只要在實線區(qū)域內(nèi)，MOSFET都是安全的，不受時間的限制。