二硒化鉬是一種二維層狀材料，單層厚度~0.7nm，六圓環(huán)結(jié)構(gòu)，同層中Se原子的p軌道與Mo的d軌道雜化成鍵，Mo-Mo鍵的鍵長(zhǎng)為3.29A。單層的MoSe2是MX2結(jié)構(gòu)，上下兩層為硒原子，中間為鉬原子，以共價(jià)鍵方式結(jié)合，層與層之間以弱的范德瓦爾斯力結(jié)合。單層二硒化鉬的帶隙為1.5eV直接帶隙，層數(shù)增加變?yōu)殚g接帶隙，帶隙寬度在減到1.leV導(dǎo)帶底逐漸由K點(diǎn)移動(dòng)到T點(diǎn)處，這種轉(zhuǎn)變對(duì)應(yīng)到PL譜上表現(xiàn)為單層的二硒化鉬薄膜具有更強(qiáng)的PL峰,多層有微弱的PL峰。

MOS2-WSe2二硫化鉬修飾二硒化鎢
WS2-WSe2二硒化鎢修飾二硫化鎢
二硒化釩摻雜鎳化物
二硒化釩摻雜硒化物
二硒化釩摻雜鈷化物
二硒化鉬修飾二維氮化碳

瑞禧WFF.2022.7