書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻

編號：JFKJ-21-012

作者：炬豐科技

? 現(xiàn)有的第三類完成族干式對象的加工方式包括干式有幾種，產(chǎn)生的會(huì)引發(fā)破壞。?通過干法產(chǎn)生的潛在影響，可能有近50納米的影響，盡管最近報(bào)道了低至4±6納米的有效值。濕法輔助也已被用于證明基礎(chǔ)涂層~GaN具有設(shè)備成本相對較低、表面損壞小等，但目前還沒有生產(chǎn)好還報(bào)道了GaN的解，其均方根在表面上生長的GaN的16nm和尖晶石上生長的GaN的0.3nm之間發(fā)生了變化。

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? 我已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于K的溶液可以用AlN和InAlN，但之前沒有發(fā)現(xiàn)能夠因此NOHGaN的酸堿溶液。在這信中，我們用他們代替水作為KOH和NaOH的，溶劑使用 90 到 180 °C 之間的溫度。這些溫度超過水的沸點(diǎn)，并且是遠(yuǎn)在以前的參考文獻(xiàn)中使用溫度的兩步工藝。我們的樣品是2米通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積~MOCVD！在 c 面上發(fā)育型 m 厚 n GaN 外延層，以及l(fā)m的X半峰全寬為800秒弧秒......

? （一種）由 H3PO4 全球的 $101ˉ3% 平板。 (二)底切 $101ˉˉ2% 平板用 H3PO4 轉(zhuǎn)化。 （C）?乙烯中 KOH 的 $101ˉ0% 垂直平面

漢語。 ?????略

? 3. 在 KOH 和 30% KOH 溶解氧設(shè)備中的 GaN 轉(zhuǎn)化速度的阿倫尼烏斯圖。實(shí)心和空心符號代表測量的傳輸速度沿線邊緣平行于?分別為1120 a平面和1010 m平面。???????略

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