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12月4日，有投資者在互動(dòng)平臺(tái)提問“請(qǐng)問近來公司7納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何？在國內(nèi)外將產(chǎn)生怎樣的影響？”對(duì)此，中芯國際回復(fù)“公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度進(jìn)入量產(chǎn)，第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)?！?/p>

中芯國際第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

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中芯國際2019第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，梁孟松博士透露了中芯國際下一代“N+1”工藝的詳細(xì)數(shù)據(jù)。梁孟松博士透露，中芯國際的下一代N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

所以在功率和穩(wěn)定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區(qū)別在于性能方面，N+1工藝的提升較小，市場(chǎng)基準(zhǔn)的性能提升應(yīng)該是35%。所以，中芯國際的N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。