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[轉(zhuǎn)載]英特爾重返半導(dǎo)體王者 明年量產(chǎn)1.8nm工藝 臺(tái)積電回應(yīng)

2023-06-08 17:05 作者:華擎科技_ASRock  | 我要投稿

快科技6月6日消息,最近幾年英特爾在14nm節(jié)點(diǎn)之后遭遇危機(jī),導(dǎo)致先進(jìn)工藝上輸給了臺(tái)積電、三星,但他們這兩年正在奮起直追,4年內(nèi)掌握5代CPU工藝,明年將量產(chǎn)20A、18A兩代工藝,相當(dāng)于友商的2nm、1.8nm。

這兩代工藝不僅會(huì)首次進(jìn)入埃米級(jí)節(jié)點(diǎn),同時(shí)還有兩大黑科技——首發(fā)PowerVia背面供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極兩大全新技術(shù),其中前者已經(jīng)在Intel 4工藝上做了測試,將平臺(tái)電壓降低了30%,并帶來了6%的頻率增益。

這兩款工藝中,1.8nm工藝尤其重要,不僅Intel自己會(huì)用,還要提供給客戶,跟臺(tái)積電、三星等搶先進(jìn)工藝市場,此前已經(jīng)跟Arm達(dá)成了戰(zhàn)略合作,基于1.8nm工藝優(yōu)化Arm處理器。

1.8nm工藝將在2024年下半年量產(chǎn),2025年會(huì)有產(chǎn)品上市,這代工藝將幫助英特爾重返半導(dǎo)體王者,先進(jìn)工藝上重新超越臺(tái)積電,因?yàn)楹笳叩?nm工藝N2在2025年才能量產(chǎn),而且技術(shù)偏保守,密度比3nm只提升10%。

面對(duì)英特爾的追趕,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音今天也做出了回應(yīng),表示自家的N2工藝比1.8nm工藝好很多,目前處于早期設(shè)計(jì)階段,但所有的量產(chǎn)、技術(shù)都是兩年前就決定的,客戶對(duì)N2很有信心,需求比以前大很多。

雖然沒有指名道姓說友商是誰,但是1.8nm工藝全球僅此一家,臺(tái)積電的表態(tài)很明顯了。


本視頻轉(zhuǎn)載自:快科技

文章作者:憲瑞

文章原鏈接:

https://news.mydrivers.com/1/914/914864.htm


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