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20N65在ITO-220AB封裝里的靜態(tài)漏極源導通電阻（RDS(ON)）為0.42Ω，是一款N溝道高壓MOS管。20N65的最大脈沖正向電流ISM為80A，零柵極電壓漏極電流(IDSS)為10uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。20N65功耗（PD）為239W。20N65的電性參數(shù)是：二極管正向電壓(VSD)為1.4V，漏極-源極擊穿電壓為650V，二極管正向電壓(VSD)為1.4V，其中有3條引線。

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20N65參數(shù)描述

型號：20N65

封裝：ITO-220AB

特性：N溝道高壓MOS管

電性參數(shù)：20A 650V

正向電流(Io)：20A

靜態(tài)漏極源導通電阻（RDS(ON)）：0.42Ω

功耗（PD）：239W

二極管正向電壓(VSD)：1.4V

最大脈沖正向電流ISM：80A

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：10uA

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：3

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20N65是TO-220封裝系列。它的本體長度為20.1mm，加引腳長度為40.4mm，寬度為15.8mm，高度為5.0mm，腳間距為5.45mm。

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以上就是關(guān)于20N65-ASEMI高壓MOS管20N65的詳細介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計算機、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。