管子的開通對另一個(gè)管子產(chǎn)生影響，造成誤導(dǎo)通。怎么解決這個(gè)問題呢？

從干擾的幾個(gè)因素來考慮：

1、首先從布局上，控制回路要特別小，Id回路也不能太大。

2、地線的干擾影響

3、GS阻抗的影響

4、MOSFET本身的特性的影響

那么，從原理圖設(shè)計(jì)方面講，可以在GS阻抗上改善。

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比如，當(dāng)下管關(guān)閉，上管開通瞬間，會在下管的G端產(chǎn)生一個(gè)干擾，讓G端的電位上升。我們可以讓R4阻值變小，分到更多的電流，直到干擾的電位遠(yuǎn)低于4.5V導(dǎo)通閾值。但這也會帶來一個(gè)問題，下管的開通期間會一直有一個(gè)較大電流流過R4，而這不是我們所希望的。這種情況在低壓時(shí)，會好很多，但是高壓就不好做了。

開關(guān)損耗

在每一次開關(guān)過程中，產(chǎn)生的開通損耗和關(guān)斷損耗。

控制信號的載頻越高，則開關(guān)損耗越大。

將平臺時(shí)間盡可能地縮短，當(dāng)然前提是GD波形盡可能的不發(fā)生震蕩。

控制信號的幅值大小，也會影響到Rdson的阻值。

最好大于12V，至少大于8V。

體二極管的續(xù)流損耗

這里以三相逆變橋電路舉例

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通過上面的三相六個(gè)橋臂的導(dǎo)通時(shí)序，來控制右邊電機(jī)繞組的導(dǎo)通相序。上管斬波，下管恒通的方式進(jìn)行速度控制。比如在某一時(shí)刻，M1 M2導(dǎo)通，其它4個(gè)管子截止，那么導(dǎo)通回路如下圖所示：

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對于電機(jī)繞組來說，U相和W相導(dǎo)通，V相懸空。

ON期間（上橋）：M1斬波，M2恒通

源 ---- ?310V

回路 --- 經(jīng)過M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地

OFF期間（上橋）：M1斬波，M2恒通

電機(jī)的U V作為電感，是一個(gè)電流源，電流是不能激變的，并且要維持原來的電流方向不能突變。那么電流會經(jīng)過M4的體二極管流過。

源：UW電感

回路：W --> M2 --> M4體二極管 --> 回到U端

電流源電感兩端的壓降被鉗位在了0.7V---慢續(xù)流。慢續(xù)流的好處，因?yàn)殡姍C(jī)一直有電流，所以平均輸出功率就大。

續(xù)流期間是站在地上的。

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ON期間（下橋）：M2斬波，M1恒通

源：310V

回路：經(jīng)過M1 --> U --> W --> M2 --> 310V的地

OFF期間（下橋）：M2斬波，M1恒通

源：UW電感

回路：W --> M5 --> M1 --> U

續(xù)流期間是站在310V上的。

這種單橋臂斬波的管子，哪個(gè)管子發(fā)熱會大呢？