編輯-Z

ASEMI高壓MOS管20N65參數(shù)：

型號(hào)：20N65

漏極-源極電壓（VDS）：650V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：20A

功耗（PD）：239W

儲(chǔ)存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：0.42Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.4V

輸入電容（Ciss）：3520pF

二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：530nS

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20N65封裝規(guī)格：

封裝：TO-220

總長(zhǎng)度：28.57mm

本體長(zhǎng)度：15.87mm

寬度：10.66mm

高度：5.0mm

腳間距：2.54mm

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20N65特征：

低固有電容。

出色的開(kāi)關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，ID=20A

RDS（ON）：0.42? （最大值）@VG=10V

100%雪崩測(cè)試