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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)計(jì)

2021-07-20 10:32 作者:華林科納  | 我要投稿

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章:化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)計(jì)

編號(hào):JFKJ-21-057

作者:炬豐科技


過(guò)程

? 化學(xué)機(jī)械拋光?(CMP) 是一種平面化工藝,首先開(kāi)發(fā)并用于制造高密度集成電路 (IC) 的多級(jí)金屬互連,已被用作制造微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 的使能技術(shù)或更一般地,微系統(tǒng)技術(shù)。CMP 平面化技術(shù)減輕了由多層結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中產(chǎn)生的形貌引入的許多制造問(wèn)題。從歷史上看,多晶硅表面微加工尤其如此,這是一種增材制造技術(shù),由多達(dá)六層多晶硅組成。如果沒(méi)有在層之間加入 CMP 平面化,這種技術(shù)是不可能實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō),CMP 不僅消除了由中間制造步驟中產(chǎn)生的非平面形貌引入的設(shè)計(jì)約束,而且還提高了表面的整體質(zhì)量,并可能為集成不同的工藝技術(shù)提供一條途徑。一般而言,CMP 應(yīng)用于基板,器件在批量制造過(guò)程中構(gòu)建到其上或其中,類(lèi)似于制造集成電路 (IC) 的方式。這些襯底,通常被稱(chēng)為晶片,通常是圓形的、薄的,并且由直徑從 100 毫米到 300 毫米、厚度從幾百微米到幾毫米的單晶硅組成。商業(yè) CMP 工具通常設(shè)置為處理此類(lèi)基板。可以對(duì)非標(biāo)準(zhǔn)基板進(jìn)行 CMP,但這可能需要 MEMS 精品代工廠的專(zhuān)門(mén)工具。??略

過(guò)程的應(yīng)用

? 在制造器件時(shí),添加或移除材料層,然后根據(jù)器件設(shè)計(jì)進(jìn)行圖案化和蝕刻。此循環(huán)可能會(huì)重復(fù)多次,具體取決于設(shè)計(jì)中包含的級(jí)別數(shù)。每個(gè)循環(huán)都會(huì)為表面增加地形。原始平坦基板上的第一層沒(méi)有問(wèn)題,但隨著后續(xù)層的添加,這種地形會(huì)帶來(lái)制造問(wèn)題,并最終導(dǎo)致設(shè)計(jì)功能問(wèn)題。CMP 工藝可用于基本上重新平整表面形貌,改善制造和設(shè)計(jì)問(wèn)題。這是CMP必不可少的基本功能。但是,它還可以提供更復(fù)雜的功能,如下所述。??略

更高階的?CMP 效果????略


CMP“觸摸”拋光

CMP 平面化凹陷


?

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