隨著天璣9200、高通驍龍8G2先后將LPDDR5X格式的內(nèi)存顆粒納入主架構(gòu)設(shè)計，顆粒本身的量產(chǎn)也決定著搭載該芯片的手機是否能正常量產(chǎn)。

目前，供應(yīng)商之一的鎂光正式宣布，在低功耗 LPDDR5X 移動內(nèi)存上采用新一代制程技術(shù)，目前已成功量產(chǎn)。

值得注意的是，本次鎂光創(chuàng)新性采用了1β 節(jié)點，與上一代 1α 節(jié)點相比，1β 技術(shù)可將能效提高約 15%，內(nèi)存密度提升 35% 以上，單顆粒容量達 16Gb，具備低延遲、低功耗和高性能的特點，最高速率可達每秒 8.5Gb。

同為供貨商的海力士，則在10月8日就搶先一步，宣布開始銷售基于HKMG（高K金屬柵）技術(shù)的LPDDR5X（低功耗雙數(shù)據(jù)速率5x）移動DRAM。

借助HKMG，一層薄薄的高k薄膜可取代晶體管柵極中現(xiàn)有的SiON柵氧化層，降低了泄漏電流，提高了芯片可靠性。

此外，通過減小柵厚度，可以實現(xiàn)晶體管的僅有不微縮，并改善基于多晶硅/SiON的晶體管的速度特性。

與上一代芯片相比，SK海力士最新官宣的產(chǎn)品功耗降低了25%，比上一代快33%，實現(xiàn)了8.5Gbps的操作速度。

可以看到即使技術(shù)不一樣，但規(guī)格兩家基本保持一致。所以首批驍龍8G2和天璣9200新機應(yīng)該都是海力士的內(nèi)存顆粒。

至于三星，只一次似乎慢了半拍，除了高通初期驗證速率貢獻過之外，目前三星還在量產(chǎn)采用EUV（極紫外）技術(shù)的14nm工藝制造DDR5 DRAM，似乎對新一代存儲量產(chǎn)不是那么熱衷。

也有可能是因為新技術(shù)對生產(chǎn)線要求過高，所以年底前的旗艦手機如果采用LPDDR5X，不會出現(xiàn)使用三星顆粒的手機。