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一邊闡述半導(dǎo)體制造工藝流程，一邊說明各制造工藝中所使用的制造設(shè)備及其結(jié)構(gòu)和原理，包括加熱工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和薄膜生長工藝等核心內(nèi)容。

內(nèi)容簡介

《芯片制造：半導(dǎo)體工藝與設(shè)備》著重介紹了半導(dǎo)體制造設(shè)備，并從實踐的角度出發(fā)，選取了具有代表性的設(shè)備進(jìn)行講解。為了讓讀者加深對各種設(shè)備用途的理解，采用了一邊闡述半導(dǎo)體制造工藝流程、一邊說明各制造工藝中所使用的制造設(shè)備及其結(jié)構(gòu)和原理的講解方式，力求使讀者能夠系統(tǒng)性地了解整個半導(dǎo)體制造的體系。

《芯片制造：半導(dǎo)體工藝與設(shè)備》可作為從事集成電路工藝與設(shè)備方面工作的工程技術(shù)人員，以及相關(guān)研究人員的參考用書，也可作為高等院校微電子、集成電路相關(guān)專業(yè)的規(guī)劃教材和教輔用書。

作者簡介

陳譯，副教授，男，廈門理工學(xué)院，獲得日本國立琉球大學(xué)電氣電子工學(xué)專業(yè)博士學(xué)位，廈門市雙百人才，于2010年4月進(jìn)入日本三墾電氣株式會社，從事功率半導(dǎo)體器件（IGBT、MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)歷了先進(jìn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的重要過程，參與或領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊研發(fā)了30個品種以上的功率器件并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。其主持研制的IGBT、MOSFET芯片已賣出數(shù)百萬片（其中IGBT芯片主要供貨給格力電器），總產(chǎn)值超過20億日元。截止目前，擁有授權(quán)和受理發(fā)明專利50余項，實用新型10余項，發(fā)表科研論文15篇。在面向工業(yè)和車規(guī)級的高端功率器件研發(fā)及量產(chǎn)方面經(jīng)驗豐富，尤其擅長高端IGBT、Split-gate MOSFET、SiC功率器件的研究。

主要成果：

1)發(fā)明新型結(jié)構(gòu)溝槽肖特基二極管，綜合性能比市面通用量產(chǎn)產(chǎn)品高出20%，并申報多項日本發(fā)明專利；

2)設(shè)計完成基于第六代溝槽場終止型（Field Stop）IGBT，并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；

3)設(shè)計完成深槽分裂柵結(jié)構(gòu)IGBT，綜合性能領(lǐng)先于目前國際*高水平并實現(xiàn)工程流片成功；

4)主持完成豐田汽車高可靠性車載應(yīng)用功率MOSFET設(shè)計和制造；

5)設(shè)計開發(fā)1200V級SiC MOSFET器件并實現(xiàn)工程流片成功。

上述均屬于國內(nèi)開創(chuàng)性或者領(lǐng)先水平的成果，綜合性能達(dá)到甚至領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品，具有巨大的技術(shù)和商業(yè)價值。