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IPB64N25S3-20-ASEMI代理英飛凌中低壓MOS管IPB64N25S3-20

型號：IPB64N25S3-20

品牌：Infineon(英飛凌)

封裝：TO-263

最大漏源電流：64A

漏源擊穿電壓：250V

RDS（ON）Max：17.5mΩ

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：中低壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~175℃

IPB64N25S3-20場效應管

IPB64N25S3-20的電性參數(shù)：最大漏源電流64A；漏源擊穿電壓250V

特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=250V，Id=64A

RDS（開）:17.5m? （最大值）@VG=10V