Microbump、TSV中的缺陷往往深埋在樣品內(nèi)部，使用傳統(tǒng)的去封裝、機械研磨拋光的方法固然可以加工出截面并暴露出缺陷結(jié)構(gòu)，但是也有效率低、加工精度差、制樣過程易引入新的缺陷等局限性。

　　蔡司激光雙束電鏡LaserFIB幫助用戶更好地解決這個難題。

　　1、高效率

　　激光刻蝕對硅的切削效率比Ga FIB快5000倍以上，比Xe離子PFIB快近1000倍，且對不同材料都有很高的加工效率。

　　因此它非常適合用于對先進封裝樣品進行毫米尺度的截面制備，可以做到在十分鐘內(nèi)就能把表面以下數(shù)百微米甚至數(shù)毫米的結(jié)構(gòu)暴露出來。

　　2、高精度

　　在制備出大尺寸的截面以后，還需要對目標區(qū)域進行局部的精細拋光，這時候就必須用到聚焦離子束FIB。在小束流條件下，Ga FIB比Xe PFIB的束斑更小，加工精度更高。此外Ga FIB可以在更小的加速電壓下工作，最低可達500V，比起PFIB的2kV對樣品的損傷也更小。

　　蔡司激光雙束電鏡LaserFIB很好地結(jié)合了飛秒激光和Ga FIB的優(yōu)勢，既能實現(xiàn)精細準確的加工，也能勝任超大尺寸樣品制備的工作，滿足了對先進封裝樣品失效分析高效率和高成功率的要求，同時也能用于裸晶樣品的截面或TEM樣品制備。

　　3、集成式的激光架構(gòu)

　　既然激光刻蝕有這些優(yōu)點，那么我們使用一臺獨立的激光刻蝕機搭配一臺傳統(tǒng)的Ga FIB或PFIB不就可以滿足應用需求了嗎?答案是不一定，這種方案的最大難點在于準確定義激光的加工區(qū)域。

　　獨立的外置激光刻蝕機主要使用光學相機實現(xiàn)定位，精度非常有限。蔡司激光雙束電鏡LaserFIB是把飛秒激光集成在FIB系統(tǒng)里，因此可以通過SEM的高分辨圖像來完成定位，精度可達2um以內(nèi)。

　　而且激光加工的倉室獨立于FIB倉室，不必擔心加工過程中去除的大量材料對FIB倉室和電子光學系統(tǒng)的污染。更多請ZX昆山友碩