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ASE20N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE20N65SE

型號(hào)：ASE20N65SE

品牌：ASEMI

封裝：TO-247

最大漏源電流：20A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：0.42Ω

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管、低壓MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~175℃

備受歡迎的ASE20N65SE MOS管

??ASEMI品牌ASE20N65SE是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了ASE20N65SE的最大漏源電流20A，漏源擊穿電壓650V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

ASE20N65SE,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

ASE20N65SE具體參數(shù)為：最大漏源電流：20A，漏源擊穿電壓：650V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-247