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半導(dǎo)體芯片的鹽霧試驗

2022-12-15 15:20 作者:TEMAK_泰美科  | 我要投稿

在船舶上或沿海區(qū)域使用的半導(dǎo)體芯片,經(jīng)常會受到鹽霧腐蝕,所以要對這類產(chǎn)品進(jìn)行鹽霧試驗。GB/T4937 中氣候試驗方法有:

第2部分:低氣壓;第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST);第5部分:穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗;第6部分:高溫貯存;第11部分:快速溫度變化,雙液槽法;第13部分:鹽霧;第23部分:高溫工作壽命;第24部分:加速耐濕,無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(HSAT);第25部分:溫度循環(huán);第42部分:溫度和濕度貯存。

半導(dǎo)體芯片鹽霧試驗方法

  1. 將試驗樣品進(jìn)行預(yù)處理,按照規(guī)定承受彎曲應(yīng)力的預(yù)處理,如果已經(jīng)作為其他試驗進(jìn)行過,則不需要重新進(jìn)行彎曲;

  2. 將試驗樣品置于循環(huán)鹽霧試驗箱中,設(shè)置好所需要的溫濕度,調(diào)整噴霧量大小與鹽霧噴出角度;

  3. 試驗時間有以下四種:

a. 試驗時間:24±2h;
b. 試驗時間:48±4h;
c. 試驗時間:96±4h;
d. 試驗時間:240±8h

根據(jù)樣品要求選取相應(yīng)的試驗時間,如沒有規(guī)定,一般選取 a。

結(jié)果判定

試驗結(jié)束后,如果出現(xiàn)以下結(jié)果,則判定為失效:

  1. 在室內(nèi)正常照明下,放大1倍~3倍檢查,標(biāo)識模糊;

  2. 腐蝕缺陷面積超過任何封裝零件(例如蓋板、引線或外殼)鍍層金屬面積的 5%;引線缺損、斷裂;放大 10~20 倍檢查,完全貫穿零件的腐蝕。

對半導(dǎo)體器件進(jìn)行鹽霧試驗,可以確定半導(dǎo)體器件耐腐蝕的能力。


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