? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。

MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管。

二者的外形封裝，功能參數(shù)均類似。從原理等效模型看，IGBT單管就比MOS管多了一個PNP三極管。IGBT耐高壓，可承擔大功率。MOS用于低壓小功率高頻場合。

????電路中存在寄生電容與寄生電感，會組成一個LC振蕩電路。

????IGBT和MOSFET一樣，存在寄生結(jié)電容，即為CGC，CGE和CCE。

輸入電容Cies=CGC+CGE。當輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致一定值時器件才可以關(guān)斷，因此主要影響器件的開關(guān)速度、開關(guān)損耗。

輸出電容Coes=CGC+CCE。主要影響器件VCE的變化，限制開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中的dv/dt。Coes造成的損耗一般可以被忽略。

反向傳輸電容Cres即米勒電容。主要影響器件柵極電壓VGE和VCE的耦合關(guān)系。

????IGBT的開關(guān)過程就是對輸入電容的充放電過程，理論上輸入電容越小那么IGBT的開關(guān)就可越快。