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IR2104國產(chǎn)替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)

2023-03-27 14:45 作者:驪微電子科技  | 我要投稿

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域?!?/p>

ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)  

■ 浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V  

■ 拉灌電流典型值210mA/360mA  

■ 兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平  

■ dV/dt抗干擾能力±50 V/nsec  

■ 芯片工作電壓范圍10V~20V  

■ VCC和VBS具有欠壓保護(hù)功能  

■ 防直通邏輯保護(hù),死區(qū)時(shí)間典型值520ns  

■ 所有通道延時(shí)匹配功能

IR2104國產(chǎn)替代芯片ID7U603SEC-R1可用于驅(qū)動(dòng)2個(gè)N型功率MOSFET和IGBT構(gòu)成的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),ID7U603SEC-R1是一塊驅(qū)動(dòng)芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個(gè)MOS管,因此采用半橋驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),需要兩塊該芯片才能控制一個(gè)完整的H橋。

ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V,10-20V 寬范圍工作電壓范圍,輸入兼容 3.3V、5V 邏輯工作電平,拉灌電流典型值210mA/360mA,具有防直通保護(hù)及欠壓保護(hù)功能,可兼容代換IR2104,典型應(yīng)用于高壓風(fēng)機(jī)和泵、步進(jìn)馬達(dá)等領(lǐng)域,更多國產(chǎn)替料ID7U603規(guī)格書、電路圖等資料請向驪微電子申請。>>


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