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ATTO推出“硅盤”:速度比固態(tài)硬盤快100倍

2021-03-11 12:52 作者:存儲極客  | 我要投稿

提起ATTO,很多朋友會想起那款經(jīng)典的硬盤測速軟件。

ATTO默認(rèn)使用全零完全可壓縮數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫測試,碰到支持?jǐn)?shù)據(jù)壓縮的SandForce主控就會跑出虛高的假分?jǐn)?shù),ATTO也因而被戲稱為“SandForce戰(zhàn)略合作伙伴”。

測速軟件只是ATTO公司的一個免費(fèi)產(chǎn)品,它的主業(yè)乃是存儲和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。這次ATTO推出的SiliconDisk(硅盤)使用DRAM內(nèi)存作為存儲介質(zhì),比使用NAND閃存的固態(tài)硬盤快100倍。

說起RAMDisk內(nèi)存盤,DIY老玩家應(yīng)該不會對技嘉的i-RAM感到陌生。

誕生于2005年的第一代i-RAM雖然是PCIE擴(kuò)展卡形式,但同主機(jī)通信還是依賴于SATA接口。

由于單位容量成本太高,這種純RAM類型的內(nèi)存式硬盤在消費(fèi)級領(lǐng)域并沒有獲得很大的發(fā)展空間,還是使用NAND閃存的固態(tài)硬盤更劃算。

當(dāng)然,在追求極致性能的企業(yè)級領(lǐng)域,RAM內(nèi)存盤依然有著自己的市場。所以今天我們才有機(jī)會看到ATTO的“硅盤”。硅盤看上去一點(diǎn)都不像傳統(tǒng)的“硬盤”,它除了使用DRAM存儲數(shù)據(jù)之外,還提供了相應(yīng)容量的NAND閃存,用于在意外斷電時緊急保存數(shù)據(jù)。

盡管使用了DRAM,但ATTO硅盤是貨真價(jià)實(shí)的硬盤設(shè)備,它沒有使用常見固態(tài)硬盤的PCIe接口連接主機(jī),而是選擇使用4個100Gb以太網(wǎng)端口,提供總共400Gb的傳輸帶寬。

存取延遲低和寫入壽命無限是硅盤的主要賣點(diǎn)。ATTO表示硅盤的存取延遲僅有600納秒,與之對比的是,英特爾傲騰固態(tài)硬盤的存取延遲大約10000納秒,DIMM內(nèi)存條形式的傲騰持久內(nèi)存的存取延遲大約350納秒,普通NAND閃存NVMe固態(tài)硬盤的讀取延遲大約120000納秒。

硅盤定位于服務(wù)器應(yīng)用,所以以太網(wǎng)端口的使用方式更為靈活,既可以將四個100Gb端口全部連接至單個服務(wù)器,也可以分別連接至4個服務(wù)器,甚至是通過交換機(jī)連接至更多的服務(wù)器集群。

存儲極客最后要說的是,類似硅盤這種RAM內(nèi)存盤在家用環(huán)境下太不經(jīng)濟(jì)了。個人電腦也不像企業(yè)級存儲應(yīng)用那樣注重海量IOPS并發(fā)以及超低存取延遲,普通的TLC固態(tài)硬盤對于大多數(shù)人已經(jīng)夠用了。

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