書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：三維硅MEMS結(jié)構(gòu)微加工

編號(hào)：JFKJ-21-196

作者：炬豐科技

摘要 ?

? 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。對(duì)硅負(fù)載、階躍的引入、晶圓電極功率和晶圓溫度進(jìn)行了評(píng)估并被確定為在DRIE中粗控刻蝕選擇性的有效方法。非均勻性和表面粗糙度特性評(píng)估并發(fā)現(xiàn)，當(dāng)3D剖面轉(zhuǎn)移到硅上時(shí)，蝕刻選擇性已成比例。一個(gè)micro-compressor使用灰度光刻和DRIE演示，表明蝕刻選擇性可以成功地為特定的應(yīng)用定制。 ?

關(guān)鍵詞:灰度光刻;沖動(dòng);微機(jī)電系統(tǒng);腐蝕選擇性

介紹 ?

? 開發(fā)三維微結(jié)構(gòu)的能力是偉大的對(duì)提高光電和機(jī)電的重要性設(shè)備的性能。以前的技術(shù)使用多個(gè)直接書寫步驟，多重光刻步驟，或定制的設(shè)備。然而,這些技術(shù)限于有限范圍的形狀，或不批處理過程?；叶燃夹g(shù)已經(jīng)出現(xiàn)能夠開發(fā)任意的三維微結(jié)構(gòu)在各種材料中。使用灰度技術(shù)使硅的三維成形在一個(gè)單一的光刻步驟與隨后的干蝕刻。

實(shí)驗(yàn)方法??略

腐蝕選擇性的結(jié)果??略

腐蝕特征???略

Micro-compressor應(yīng)用程序???略