ASEMI代理艾賽斯IGBT管IXYB82N120C3H1
2022-11-19 15:47 作者:強(qiáng)元芯 | 我要投稿
編輯-Z
艾賽斯IGBT管IXYB82N120C3H1參數(shù):
型號(hào):IXYB82N120C3H1
漏極-源極電壓(VCES):1200V
連續(xù)漏電流(IC):82A
功耗(PC):1040W
工作結(jié)溫度(TJ):-55 to +150℃
零柵極電壓漏極電流(ICES):50uA
輸入電容(CISS):4060pF
二極管正向電壓(VSD):2.7V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):420ns
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IXYB82N120C3H1封裝尺寸:
封裝:TO-264
總長(zhǎng)度:47.98mm
本體長(zhǎng)度:26.59mm
引腳長(zhǎng)度:21.39mm
寬度:20.29mm
高度:5.31mm
腳間距:5.45mm
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IXYB82N120C3H1特征:
針對(duì)低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化
方形RBSOA
反并聯(lián)超快二極管
Vce的正熱系數(shù)(sat)
雪崩額定值
高電流處理能力
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)包裝
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IXYB82N120C3H1應(yīng)用:
高頻功率逆變器
不間斷電源
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
表面粗糙度
PFC電路
電池充電器
焊接機(jī)
燈鎮(zhèn)流器
標(biāo)簽: