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ASEMI代理艾賽斯IGBT管IXYB82N120C3H1

2022-11-19 15:47 作者:強(qiáng)元芯  | 我要投稿

編輯-Z

艾賽斯IGBT管IXYB82N120C3H1參數(shù):

型號(hào):IXYB82N120C3H1

漏極-源極電壓(VCES):1200V

連續(xù)漏電流(IC):82A

功耗(PC):1040W

工作結(jié)溫度(TJ):-55 to +150℃

零柵極電壓漏極電流(ICES):50uA

輸入電容(CISS):4060pF

二極管正向電壓(VSD):2.7V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr):420ns

?


IXYB82N120C3H1封裝尺寸:

封裝:TO-264

總長(zhǎng)度:47.98mm

本體長(zhǎng)度:26.59mm

引腳長(zhǎng)度:21.39mm

寬度:20.29mm

高度:5.31mm

腳間距:5.45mm

?


IXYB82N120C3H1特征:

針對(duì)低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化

方形RBSOA

反并聯(lián)超快二極管

Vce的正熱系數(shù)(sat)

雪崩額定值

高電流處理能力

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)包裝

?


IXYB82N120C3H1應(yīng)用

高頻功率逆變器

不間斷電源

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

表面粗糙度

PFC電路

電池充電器

焊接機(jī)

燈鎮(zhèn)流器


ASEMI代理艾賽斯IGBT管IXYB82N120C3H1的評(píng)論 (共 條)

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