編輯-Z

與其他二極管相比，肖特基二極管MBR10200FCT有什么特別之處？

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MBR10200FCT參數(shù)描述

型號：MBR10200FCT

封裝：TO-220

特性：肖特基二極管

電性參數(shù)：10A，200V

正向電流(Io)：10A

正向電壓(VF)：0.9V

芯片尺寸：86MIL

浪涌電流Ifsm：150A

漏電流(Ir)：10UA

工作溫度：-65~+175℃

恢復(fù)時間(Trr)：<5nS

引線數(shù)量：3

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肖特基二極管MBR10200FCT不是利用P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間形成PN結(jié)的原理制成的，而是利用金屬和半導(dǎo)體接觸形成金屬-半導(dǎo)體結(jié)的原理制成的。因此，MBR10200FCT也被稱為金屬半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，是一種熱載流子二極管。

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典型的肖特基整流器MBR10200FCT的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是基于N型半導(dǎo)體，在其上形成以砷為摻雜劑的N型外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻擋層。使用二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓。N型基片導(dǎo)通電阻小，摻雜濃度比H層高100%。在基板下方形成N+陰極層，其作用是降低陰極的接觸電阻。

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通過調(diào)整MBR10200FCT結(jié)構(gòu)參數(shù)，在N型襯底與陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)MBR10200FCT肖特基勢壘兩端（陽極金屬接電源正極，N型襯底接電源負(fù)極）施加正向偏壓時，肖特基勢壘層變窄，內(nèi)阻變??；相反，如果在MBR10200FCT肖特基勢壘的兩端施加反向偏壓，則肖特基勢壘層變寬，其內(nèi)阻變大。

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肖特基整流管MBR10200FCT僅使用一種載流子（電子）來傳輸電荷，在勢壘外沒有多余的少數(shù)載流子的積累。因此，不存在電荷存儲問題（Qrr→0），開關(guān)特性明顯提升。

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MBR10200FCT反向恢復(fù)時間已縮短至10ns以下。因此，適合在低電壓大電流條件下工作。利用其低壓降特性，可以提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率。